[发明专利]全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法有效
| 申请号： | 201810692085.2 | 申请日： | 2016-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108897088B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 胡敬佩;王钦华;赵效楠;朱爱娇;林雨;曹冰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙周强;陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 超薄 二维 偏振 二色性 器件 制备 方法 | ||
1.一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先使用化学气相沉积法在透光基底上长出半导体介质层；然后利用聚焦离子束直写工艺或者光刻工艺在介质层上制备Z型通孔，即得到全介质超薄二维圆偏振二色性器件；所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件由结构单元阵列组成；所述结构单元包括透光基底与覆盖于透光基底上的介质层；所述介质层设有Z型通孔；所述Z型通孔贯穿介质层的上表面与下表面；所述Z型通孔的纵向臂长为0.18μm～0.24μm，横向臂长为0.48μm～0.54μm，缝宽为0.30μm～0.33μm；所述介质层的厚度为0.23μm～0.26μm；所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件中，每个结构单元的周期为0.97μm～1.00μm。
2.根据权利要求1所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，其特征在于：所述透光基底包括二氧化硅基底。
3.根据权利要求2所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，其特征在于：所述半导体介质层包括硅介质层、砷化铟介质层或者砷化镓介质层。
4.根据权利要求1所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，其特征在于：所述Z型通孔上，任意两条边的距离都小于每个结构单元的周期。
5.根据权利要求1所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，其特征在于：所述Z型通孔的纵向臂长为0.2μm，横向臂长为0.5μm，缝宽为0.32μm，介质层的厚度为0.25μm；所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件中，每个结构单元的周期为0.98μm。
6.一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，其特征在于，利用聚焦离子束直写工艺或者光刻工艺在绝缘体硅片的顶层硅层上制备Z型通孔，即得到全介质超薄二维圆偏振二色性器件；所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件由结构单元阵列组成；所述结构单元为绝缘体硅片；所述绝缘体硅片的顶层硅层设有Z型通孔；所述Z型通孔贯穿绝缘体硅片的顶层硅层的上表面与下表面；所述Z型通孔的纵向臂长为0.18μm～0.24μm，横向臂长为0.48μm～0.54μm，缝宽为0.30μm～0.33μm；所述绝缘体硅片的顶层硅层的厚度为0.20μm～0.26μm；所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件中，每个结构单元的周期为0.97μm～1.00μm。
7.根据权利要求6所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，其特征在于：所述Z型通孔的纵向臂长为0.2μm，横向臂长为0.5μm，缝宽为0.32μm，顶层硅层的厚度为0.25μm；所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件中，每个结构单元的周期为0.98μm。
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