[发明专利]排气装置及干法刻蚀设备

说明书

本申请公开了一种排气装置及干法刻蚀设备，排气装置包括排气泵和排气腔体，排气腔体中空且为一框体，排气泵连通排气腔体的中空部分，框体于待刻蚀件的放置位置的周边设置，框体的表面形成有多个排气孔，排气泵通过排气腔体排出待刻蚀件周围的气体。本申请通过将排气腔体于待刻蚀件的放置位置的周边设置，且框体表面包括多个排气孔，通过排气泵从排气腔体中排气，进而使得气体从待刻蚀件四周的多个排气孔中均匀排出。本申请使得待刻蚀件的四周气体流速均匀，保持刻蚀均一性，进而避免刻蚀残留。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种排气装置及干法刻蚀设备。

背景技术

随着半导体技术的发展，屏幕显示技术对半导体制造工艺的要求越来越高，干法刻蚀技术在其中扮演者不可或缺的角色，同时对干法刻蚀设备要提出了较高的要求。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。

目前的干法刻蚀设备一般采用点抽气，容易造成腔室内部四角出现刻蚀速率偏大/偏小的情况，导致刻蚀均一性恶化，进而出现刻蚀残留。特别是栅级电极和源漏电极，此两道金属工艺对工艺要求极高，目前的干法刻蚀设备无法满足要求。

也就是说，现有技术中会出现待刻蚀件的四周气体流速不均匀，导致刻蚀均一性恶化，进而出现刻蚀残留。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种排气装置及干法刻蚀设备，能够使得待刻蚀件的四周气体流速均匀，保持刻蚀均一性，进而避免刻蚀残留。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种排气装置，包括排气泵和排气腔体，排气腔体中空且为一框体，排气泵连通排气腔体的中空部分，框体于待刻蚀件的放置位置的周边设置，框体的表面形成有多个排气孔，排气泵通过排气腔体排出待刻蚀件周围的气体。

其中，排气腔体为一矩形框体，矩形框体包括4个相互独立的L型排气模块，4个L型排气模块的端部相互贴合以形成矩形框体，4个L型排气模块分别与4个分子泵连通。

其中，排气孔位于框体的上表面，且排气孔呈矩阵分布。

其中，至少部分排气孔处设有排气阀门，排气阀门通过调节阀门开度进而调节排气孔的排气速率。

其中，排气孔的表面设有气压感应装置，气压感应装置通过感应排气孔表面的气压对排气阀门的阀门开度进行控制，进而控制排气孔的排气速率。

其中，排气腔体为一矩形框体，矩形框体包括4个相互独立的直线型排气模块，4个直线型排气模块的端部相互贴合以形成矩形框体，4个直线型排气模块分别与4个分子泵连接。

其中，排气孔的形状为圆形、椭圆形、三角形、多边形、正方形或矩形中的任一种。

其中，排气孔的开口面积相等。

其中，框体的截面为圆形、椭圆形、三角形、多边形、正方形或矩形中的任一种。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种干法刻蚀设备，包括反应腔体和以上任一所述的排气装置，排气装置位于反应腔体内，排气装置中的排气泵一端与排气腔体连通，另一端与反应腔体的出气口连通，以将反应腔体中的气体排出。