[发明专利]一种电力模块的快速检测装置在审
申请号: | 201810689138.5 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN109116208A | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 张铨基;陈庆九;孙威;钱涛;赵建刚 | 申请(专利权)人: | 武汉钢铁有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 430080 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速检测装置 电力模块 大功率可控硅 电流采集单元 电压采集单元 脉冲放大单元 脉冲输出单元 大功率元件 电力系统 技术效果 交流电源 快速检测 输入单元 现场检测 直流电源 指令单元 检测 | ||
本发明公开了一种电力模块的快速检测装置,包括:输入单元、MCU单元、脉冲输出单元、移相指令单元、脉冲放大单元、第一电流采集单元、第一电压采集单元、显示单元、直流电源、交流电源。使用本发明中的装置,本发明解决了现有技术中在对大功率元件进行现场检测时,存在检测不够全面的技术问题,实现了对电力系统大功率可控硅、MOSFET、IGBT、IGCT等元件的快速检测的技术效果。
技术领域
本发明涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种电力模块的快速检测装置。
背景技术
在电力系统的整流、逆变、变频装置中,广泛应用可控硅、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Translator,绝缘栅门极晶体管)、IGCT(integrated GateCommutated Thyristors,集成门极换流晶闸管)等大功率元件。目前的现场检测手段是利用泄漏电流检测仪,检测大功率元件是否有击穿现象。
由于无法对大功率元件进行受控开通及关断性能的检测,因此,现有的技术对大功率元件的现场检测是不够准确和全面的。尤其无法适用于MOSFET、IGBT和IGCT的检测。
发明内容
本申请实施例通过提供一种电力模块的快速检测装置,解决了现有技术中在对大功率元件进行现场检测时,存在检测不够准确,不全面的的技术问题,实现了对电力系统大功率可控硅、MOSFET、IGBT、IGCT等元件的快速检测的技术效果。
一种电力模块的快速检测装置,包括:输入单元、MCU单元、脉冲输出单元、移相指令单元、脉冲放大单元、第一电流采集单元、第一电压采集单元、显示单元、直流电源、交流电源;
所述MCU单元与所述输入单元、所述显示单元、所述脉冲输出单元、所述移相指令单元、所述第一电流采集单元、所述第一电压采集单、所述直流电源分别连接,所述脉冲输出单元、所述移相指令单元、所述脉冲放大单元依次连接,所述脉冲放大单元与待测模块连接,所述第一电流采集单元、以及所述第一电压采集单元与所述待测模块的负载连接,所述交流电源与所述待测模块连接;
所述直流电源用于给所述MCU单元供电,所述交流电源用于给所述待测模块供电;
所述MCU单元用于:通过所述输入单元获取用户输入的所述待测模块的类型信息,并基于所述类型信息控制所述脉冲输出单元产生与所述待测模块对应的触发脉冲,控制所述移相指令单元对所述触发脉冲进行移相,控制所述脉冲放大单元对移相后的触发脉冲进行功率放大,其中,放大后的触发脉冲用于驱动所述待测模块;
所述MCU单元还用于:通过所述第一电流采集单元采集所述待测模块的负载的工作电流值,通过所述第一电压采集单元采集所述负载的工作电压值,并控制所述显示单元输出所述工作电流值和所述工作电压值。
优选地,所述MCU单元还用于:
通过所述输入单元获取用户输入的所述脉冲放大单元的放大倍数,并基于所述放大倍数,控制所述脉冲放大单元对移相后的触发脉冲进行功率放大。
优选地,所述的电力模块的快速检测装置,还包括:
高压发生单元,与所述直流电源、所述MCU单元、所述待测模块连接,所述直流电源用于向所述高压发生单元供电,所述高压发生单元用于输出200V~6000V的直流高电压。
优选地,所述MCU单元还用于:
基于所述待测模块的类型,控制所述高压发生单元输出与所述待测模块对应的额定工作电压。
优选地,所述的电力模块的快速检测装置,还包括:
第二电流采集单元,与所述高压发生单元、所述MCU单元连接;
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