[发明专利]半导体发光装置有效

专利信息
申请号: 201810687787.1 申请日: 2016-03-10
公开(公告)号: CN108807358B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 加贺广持;田岛纯平;岡俊行;宫部主之 申请(专利权)人: 阿尔发得株式会社
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L27/15;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/62
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 装置
【说明书】:

实施方式的半导体发光装置包括:导电性的衬底;及2个以上的发光体,并列设置在所述衬底上,且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外,本发明包括:第1电极,设置在所述第1发光体与所述衬底之间,且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底;第2电极,设置在所述第2发光体与所述衬底之间,且电连接于所述第2发光体的第1半导体层;及第1配线,将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。

分案申请的相关信息

本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2015年9月10日、申请号为201610137827.6、发明名称为“半导体发光装置”的发明专利申请案。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2015-178165号(申请日:2015年9月10日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式主要涉及一种半导体发光装置。

背景技术

有将发光二极管(Light Emitting Diode:LED)作为光源的半导体发光装置。这种半导体发光装置能够通过将多个LED集成化在衬底上而实现高亮度化。而且,通过将多个LED串联连接,例如与利用相同的电力驱动经并联连接的LED的情况相比,能够降低驱动电流,并提高半导体发光装置的可靠性。然而,为了将多个LED串联连接,必须使他们与衬底电气绝缘,而且,也必须将用以与外部电路连接的接合垫配置在衬底上。因此,存在LED的散热受到阻碍且难以实现装置的小型化的情况。

发明内容

本发明的实施方式提供一种提高经串联连接的LED的散热且能够实现小型的半导体发光装置。

实施方式的半导体发光装置包括:导电性的衬底;及2个以上的发光体,并列设置在所述衬底上,且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外,本发明包括:第1电极,设置在所述第1发光体与所述衬底之间,且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底;第2电极,设置在所述第2发光体与所述衬底之间,且电连接于所述第2发光体的第1半导体层;及第1配线,具有横跨所述第1发光体与所述第2发光体的第1部分及在所述第2发光体中延伸且电连接于所述第2电极的第2部分,且将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体发光装置的剖视图。

图2(a)及(b)是表示第1实施方式的半导体发光装置的俯视图及等效电路的电路图。

图3是表示第1实施方式的变化例的半导体发光装置的俯视图。

图4(a)~图4(c)、5(a)及5(b)、6(a)及6(b)、7(a)及7(b)是表示第1实施方式的半导体发光装置的制造过程的剖视图。

图8是表示第2实施方式的半导体发光装置的剖视图。

图9是表示第3实施方式的半导体发光装置的剖视图。

图10是表示第3实施方式的变化例的半导体发光装置的剖视图。

图11是表示第4实施方式的半导体发光装置的剖视图。

图12(a)~(d)是表示接合垫相对于发光体的面积比的图表。

具体实施方式

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