[发明专利]一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用有效
| 申请号: | 201810687088.7 | 申请日: | 2018-06-28 | 
| 公开(公告)号: | CN108845015B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 | 
| 发明(设计)人: | 鲍春竹;范大伟;刘昕;张勇;马洪敏;吴丹;王欢;魏琴;杜斌;胡丽华 | 申请(专利权)人: | 济南大学 | 
| 主分类号: | G01N27/36 | 分类号: | G01N27/36;G01N27/38 | 
| 代理公司: | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人: | 高强 | 
| 地址: | 250022 山东*** | 国省代码: | 山东;37 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 氧化钨 复合材料 光电 化学 黄曲霉 毒素 b1 传感器 制备 方法 应用 | ||
本发明涉及一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用,属于光电化学传感器领域。利用湿化学法在氟掺杂的氧化锡FTO衬底上合成矩形的WO3纳米片,再通过化学浴沉积法将结构独特的TiO2纳米刺紧密的结合在WO3纳米片上,WO3和TiO2的能带结构和晶格结构间的双重匹配,增强了WO3的光电响应和稳定性。再采用原位生长法结合上p型窄禁带半导体Ag2O纳米颗粒,得到光电活性显著提高的三氧化钨复合材料WO3/TiO2/Ag2O,该材料在谷胱甘肽存在的条件下,显示出优异的可见光活性。通过层层自组装方法,将黄曲霉毒素B1抗体、牛血清白蛋白和黄曲霉毒素B1抗原组装到WO3/TiO2/Ag2O复合材料上,利用WO3/TiO2/Ag2O优异的光电活性以及黄曲霉毒素B1抗原抗体之间的特异性结合,实现对黄曲霉毒素B1的超灵敏检测,这对黄曲霉毒素B1的分析检测具有重要的意义。
技术领域
本发明涉及一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用,属于光电化学传感器领域。利用湿化学法在氟掺杂的氧化锡FTO衬底上合成矩形的WO3纳米片,再通过化学浴沉积法将结构独特的TiO2纳米刺紧密的结合在WO3纳米片上,WO3和TiO2的能带结构和晶格结构间的双重匹配,增强了WO3的光电响应和稳定性。再采用原位生长法结合上p型窄禁带半导体Ag2O纳米颗粒,得到光电活性显著提高的三氧化钨复合材料WO3/TiO2/Ag2O,该材料在谷胱甘肽存在的条件下,显示出优异的可见光活性。通过层层自组装方法,将黄曲霉毒素B1抗体、牛血清白蛋白和黄曲霉毒素B1抗原组装到WO3/TiO2/Ag2O复合材料上,利用WO3/TiO2/Ag2O优异的光电活性以及黄曲霉毒素B1抗原抗体之间的特异性结合,实现对黄曲霉毒素B1的超灵敏检测,这对黄曲霉毒素B1的分析检测具有重要的意义。
背景技术
本发明涉及一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用,使用电化学工作站以三电极体系进行测试,以LED灯为光电化学发光信号源,利用湿化学法在氟掺杂的氧化锡FTO衬底上合成矩形的WO3纳米片,再通过化学浴沉积法将结构独特的TiO2纳米刺紧密的结合在WO3纳米片上,较好的能级匹配有效地抑制了WO3纳米片上的光生电子-空穴重组。再采用原位生长法结合上p型Ag2O纳米颗粒,得到对可见光吸收明显增强的三氧化钨复合材料WO3/TiO2/Ag2O。以WO3/TiO2/Ag2O作为基底材料,并采用谷胱甘肽为供电子体,制备了一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器,属于光电化学传感器领域。
发明内容
黄曲霉毒素B1是二氢呋喃氧杂萘邻酮的衍生物,含有一个双呋喃环和一个氧杂萘邻酮。目前,黄曲霉毒素B1是已知的化学物质中致癌性最强的一种。黄曲霉毒素B1存在于土壤,动植物各种坚果,特别是花生和核桃等天然食物中。在大豆、稻谷、玉米、通心粉、调味品、牛奶、奶制品、食用油等制品中也经常发现黄曲霉毒素,危害性也最强。其中,食品中黄曲霉毒素的检出率比较高。因此,国家质检总局规定黄曲霉毒素B1是大部分食品的必检项目之一。
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