[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810685195.6 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660926B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朱佩;向超宇;钱磊;张滔;李乐 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的材料为二氧化锡和碳形成的复合材料，且在所述二氧化锡和碳相邻的界面上具有过渡缓冲材料；
其中，所述过渡缓冲材料为碳化锡、氮化锡中的至少一种。
2.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述碳为石墨、碳纤维、碳纳米管、石墨烯、炭黑中的至少一种；和/或所述碳占所述复合材料质量的0.3～0.8％。
3.一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
提供SnO2/碳复合材料薄膜；
在碳源气氛和/或氮源气氛下，对所述SnO2/碳复合材料薄膜进行激光扫描处理，使所述SnO2和碳在相邻的界面上生成过渡缓冲材料，获得透明导电薄膜。
4.如权利要求3所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述过渡缓冲材料为碳化锡层、氮化锡中的至少一种。
5.如权利要求3所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳为石墨、碳纤维、碳纳米管、石墨烯、炭黑中的至少一种。
6.如权利要求3所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述SnO2/碳复合材料薄膜采用液相沉积法制备；和/或所述SnO2/碳复合材料薄膜中，碳占所述复合材料薄膜质量的0.3～0.8％。
7.如权利要求3所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述激光扫描处理的激光功率密度为(0.56～5.5)×105W/cm2，光斑直径为1～3mm。
8.一种量子点发光二极管器件，包括阳极，其特征在于，所述阳极的材料为二氧化锡和碳形成的复合材料，且在所述二氧化锡和碳相邻的界面上具有过渡缓冲材料；
其中，所述过渡缓冲材料为碳化锡、氮化锡中的至少一种。
9.如权利要求8所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述碳为石墨、碳纤维、碳纳米管、石墨烯、炭黑中的至少一种；和/或所述碳占所述复合材料质量的0.3～0.8％。
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