[发明专利]用于抛光钼的组合物和方法

权利要求书

1.用于抛光含钼基材的化学-机械抛光(CMP)方法，所述方法包括下列步骤：

(a)使所述基材的表面与抛光垫和含水CMP组合物接触，所述含水CMP组合物包含具有在3-6范围内的pH的含水载体且在使用点处包含：

(i)选自二氧化硅研磨剂和氧化铝研磨剂的粒状研磨剂；

(ii)200-1,000ppm的水溶性表面活性物质；和

(iii)氧化剂；

其中，所述研磨剂具有正的ζ电位，且所述表面活性物质包括阳离子型物质，其中所述阳离子型物质为阳离子型聚合物；以及

(b)在保持所述CMP组合物的一部分与所述抛光垫和所述基材之间的表面接触的同时导致所述垫和所述基材之间相对运动一段足以从所述基材磨除所述钼的至少一部分的时间。

2.用于抛光含钼基材的化学-机械抛光(CMP)方法，所述方法包括下列步骤：

(a)使所述基材的表面与抛光垫和含水CMP组合物接触，所述含水CMP组合物包含具有在3-6范围内的pH的含水载体且在使用点处包含：

(i)0.5-6重量％的选自二氧化硅研磨剂和氧化铝研磨剂的粒状研磨剂；

(ii)100-5,000ppm的水溶性表面活性物质；和

(iii)0.1-1.5重量％的氧化剂，

其中，所述研磨剂包括α-氧化铝或经氨基硅烷表面处理的二氧化硅，且具有正的ζ电位，而且，所述水溶性表面活性物质为聚卤化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)；以及

(b)在保持所述CMP组合物的一部分与所述抛光垫和所述基材之间的表面接触的同时导致所述垫和所述基材之间相对运动一段足以从所述基材磨除所述钼的至少一部分的时间。