[发明专利]半导体图像传感器

权利要求书

1.一种背面照光式BSI图像传感器，其包括：

衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；

像素传感器，其位于所述衬底中；

隔离结构，其包围所述衬底中的所述像素传感器；

介电层，其位于所述衬底的所述正面上的所述像素传感器上方；

第一反射结构，其安置于所述介电层中，包括经布置以与所述隔离结构对准的多个导电结构；及

第二反射结构，其安置于所述介电层中且与所述像素传感器的至少一部分重叠，

其中，入射光由所述背面进入所述像素传感器，所述隔离结构包括绝缘材料部份和导电涂层，且所述绝缘材料部分的侧壁和底部衬有所述导电涂层，所述导电涂层包括位于所述绝缘材料部分的所述底部的第一部分，所述导电涂层的所述第一部分接触所述导电结构，

所述第一反射结构的宽度小于所述隔离结构的宽度，及

所述第二反射结构与第一反射结构电隔离且所述第二反射结构接地。

2.根据权利要求1所述的BSI图像传感器，其中所述像素传感器经安置以接收具有预定波长的光。

3.根据权利要求2所述的BSI图像传感器，其中所述导电结构通过所述介电层来彼此隔开，且所述导电结构之间的间隔距离小于所述预定波长的一半。

4.根据权利要求3所述的BSI图像传感器，其中所述间隔距离小于0.5微米(μm)。

5.根据权利要求3所述的BSI图像传感器，其中所述导电结构中的各者包括直径，且所述直径介于约0.05μm到约0.2μm之间。

6.根据权利要求3所述的BSI图像传感器，其中所述导电结构中的各者包括通过所述介电层来彼此隔开的条状结构。

7.根据权利要求1所述的BSI图像传感器，其中所述导电结构彼此接触以形成所述介电层中的框架式结构。

8.一种背面照光式BSI图像传感器，其包括：

衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；

像素传感器，其位于所述衬底中；

隔离结构，其包围所述衬底中的所述像素传感器；

互连结构，其位于所述正面上的所述衬底上方；

介电层，其位于所述衬底的所述正面上的所述互连结构中；

第一反射结构，其安置于所述互连结构中且对准于所述隔离结构；及

第二反射结构，其安置于所述互连结构中的介电层上，

其中，入射光由所述背面进入所述像素传感器，所述隔离结构包括绝缘材料部份和导电涂层，且所述绝缘材料部分的侧壁和底部衬有所述导电涂层，所述导电涂层包括位于所述绝缘材料部分的所述底部的第一部分，所述导电涂层的所述第一部分接触所述第一反射结构，

所述第一反射结构的宽度小于所述隔离结构的宽度，及所述介电层介于所述第二反射结构与所述第一部分之间。

9.根据权利要求8所述的BSI图像传感器，其中所述第一反射结构包括多个第一导电接点及第一导体，且所述第一导电接点安置于所述第一导体与所述隔离结构之间。

10.根据权利要求9所述的BSI图像传感器，其中所述第一导电接点的宽度小于所述第一导体的宽度。

11.根据权利要求9所述的BSI图像传感器，其中所述第一导电接点接触所述隔离结构。

12.根据权利要求8所述的BSI图像传感器，其中所述第二反射结构与所述像素传感器的至少一部分重叠。

13.根据权利要求12所述的BSI图像传感器，其中所述第一反射结构与所述第二反射结构电隔离。

14.根据权利要求12所述的BSI图像传感器，其中所述第二反射结构是电接地的。