[发明专利]一种渗镝/铽钕铁硼磁体的制备方法有效
| 申请号： | 201810684927.X | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108962580B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 林建强;贺琦军 | 申请（专利权）人： | 宁波招宝磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315200 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铽钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
1.一种渗镝/铽钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
1）采用速凝工艺制成钕铁硼合金速凝片，然后氢破，气流磨制成3~5微米的细粉A；
钕铁硼合金速凝片的化学式为NdxFe100-x-y-z-x1ByCozCux1，质量百分比：x：30-31.5，y：0.95-1，z：1-1.2，x1：0-0.06；
2）熔炼镝或铽与铜或铝的合金，然后球磨成过200目的细粉B；
3）将细粉A与细粉B交替铺在SPS专用模具里，表层和底层都是细粉A，然后磁场取向和预压成型，其中每层细粉A与细粉B比的配比为（50%~70%）：（20%~30%）；
将步骤3）中的样品连同模具在真空或惰性气体保护下进行放电等离子烧结，烧结后进行二级热处理，即得渗镝/铽钕铁硼磁体；所述热处理条件为：一级热处理温度900℃-1100℃，时间1-3小时；二级热处理温度600℃-900℃，时间1-3小时；所述烧结条件为：加热速度30℃/min-300℃/min，烧结温度700℃-900℃，加压力20-300MPa，保温时间1-30min，冷却速度10℃/min-100℃/min。
2.根据权利要求1所述的一种渗镝/铽钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述磁场取向，磁场为1.6-2.0T。
3.根据权利要求1所述的一种渗镝/铽钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述预压成型，压力为200-300MPa。
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