[发明专利]一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置及其使用方法

权利要求书

1.一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，其特征在于，包括样品池框架及固定于样品池框架下方的倒置的三棱柱形高阻硅棱镜、所述样品池框架中部具有镂空部，三棱柱形高阻硅棱镜的底面与镂空部形成放置分辨物体的样品池腔室，所述镂空部的上表面可拆连接有样品池盖。

2.根据权利要求1所述的一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，其特征在于，样品池样品池框架下部固定连接有底座，所述底座侧部设置有线性移动平台，所述线性移动平台包括基板，所述基板上设置有纵向导轨，所述纵向导轨上滑动配合有活动板，所述活动板侧部延伸有固定块，所述固定块中部固定有调节螺杆，所述基板侧部延伸有基座，所述调节螺杆的下端与基座螺纹配合，所述底座与活动板固定连接，通过调节螺杆实现活动板的上下移动。

3.根据权利要求2所述的一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，其特征在于，所述样品池盖与三棱柱形高阻硅棱镜底面之间设置有密封圈。

4.根据权利要求1所述的一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，其特征在于，所述样品池框架包括截面为U型的框架本体，所述样品池框架下部固定连接有限位三棱柱形高阻硅棱镜的支撑架，所述支撑架设置有一对且一对支撑架相向面具有与三棱柱形高阻硅棱镜两侧相配合的斜面以限位三棱柱形高阻硅棱镜。

5.根据权利要求1所述的一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，其特征在于，所述样品池盖经贯穿的螺钉固定于样品池框架上，所述螺钉上设置有蝶形螺母。

6.根据权利要求2所述的一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，其特征在于，所述线性移动平台旁侧固定连接有拐状的线性移动平台固定板。

7.一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置使用方法，其特征在于，利用如权利要求4所述的一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，具体包括以下步骤：

（1）将所述的线性移动平台固定板固定在光学平台上，从而将样品池框架固定在光学平台上；

（2）进行检测时，在样品池腔室中放入样品，之后盖上样品池盖使粉末样品紧密分布在三棱柱形高阻硅棱镜底部；

（3）在光学平台旁侧搭建好太赫兹系统中，太赫兹系统包括太赫兹发射器机及太赫兹探测器，太赫兹发射器机及太赫兹探测器分别设置于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置两侧，太赫兹发射器发射的太赫兹波从所述三棱柱形高阻硅棱镜的一面平行入射，在棱镜内部发生衰减全反射，而后在棱镜底部形成倏逝波与样品进行反应，从另一面平行射出，旋转所述线性移动平台的手柄，将所述三棱柱形高阻硅棱镜调整到最佳位置，可以使得太赫兹探测器探测到的太赫兹信号强度达到最强，而后传输到信号处理系统中，形成样品的太赫兹检测光谱。

8.根据权利要求书 7所述的一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置使用方法，其特征在于，所述基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置的采用PLA三维打印材料进行样品池框架、支撑架、样品池盖、样品池框架底座、线性移动平台支撑板的制造。