[发明专利]MRAM器件与其制作方法

说明书

本申请提供了一种MRAM器件与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在互连介质层中设置第一互连部和第二互连部；步骤S2，在互连介质层的表面上依次设置第一刻蚀阻挡层和第一介质层；步骤S3，在第一互连部上方的第一刻蚀阻挡层和第一介质层内形成第一金属孔；步骤S4，在第一互连部上方的第一介质层的表面上依次设置底电极、MTJ单元、顶电极与第二刻蚀阻挡层；步骤S5，在第二介质层的远离第一介质层的表面上依次设置第三介质层、第三刻蚀阻挡层和第四介质层；步骤S6，开设第二通孔与第三通孔；步骤S7，在第二通孔和第三通孔中填充金属。该制作方法减小了工艺难度，提高了器件的成本率。

技术领域

本申请涉及存储器领域，具体而言，涉及一种MRAM器件与其制作方法。

背景技术

现有技术中，MRAM器件包括逻辑区和存储区，逻辑区主要是开关器件，存储区主要是MTJ器件，MTJ器件包括底电极、MTJ单元以及顶电极。

目前，顶电极上方的互连结构和逻辑区中上方的互连结构的高度差较大，在具体的制作过程中，需要在存储区中的顶电极上方的介质层中开设通孔以制作互连结构，同时需要在存储区的介质层中开设另一个通孔，这两个通孔的高度差较大，对刻蚀选择比的要求非常高，工艺难度较大，成品的良率较低。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种MRAM器件与其制作方法，以解决现有技术中的MRAM器件的存储区的顶电极上方的互连结构和逻辑区中的互连结构的高度差较大，导致制作的工艺难度较大的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种MRAM器件的制作方法，该制作方法包括：步骤S1，在衬底表面上的互连介质层中设置第一互连部和第二互连部，上述第一互连部和上述第二互连部交替且间隔设置；步骤S2，在上述互连介质层的远离上述衬底的表面上依次设置第一刻蚀阻挡层和第一介质层；步骤S3，在上述第一互连部上方的上述第一刻蚀阻挡层和上述第一介质层内形成第一金属孔，上述第一金属孔与上述第一互连部电连接；步骤S4，在上述第一互连部上方的上述第一介质层的远离上述第一刻蚀阻挡层的表面上依次设置底电极、MTJ单元、顶电极与第二刻蚀阻挡层，上述底电极与上述第一金属孔电连接，且上述底电极、上述MTJ单元以及上述顶电极位于第二介质层中，且上述第二介质层位于上述第二互连部上方的上述第一介质层的远离上述第一刻蚀阻挡层的表面上；步骤S5，在上述第二介质层的裸露表面上以及上述第二刻蚀阻挡层的裸露表面上依次设置第三介质层、第三刻蚀阻挡层和第四介质层；步骤S6，在上述第一互连部上方的上述第四介质层、上述第三刻蚀阻挡层、上述第三介质层和上述第二刻蚀阻挡层中开设第二通孔，在上述第二互连部上方的上述第四介质层、上述第三刻蚀阻挡层、上述第三介质层、上述第二介质层、上述第一介质层和上述第一刻蚀阻挡层中开设第三通孔；步骤S7，在上述第二通孔和上述第三通孔中填充金属，形成第二金属孔和第三金属孔。

进一步地，上述步骤S3包括：在上述第一刻蚀阻挡层和上述第一介质层内开设第一通孔，上述第一通孔与上述第一互连部连接；在上述第一通孔内填充金属，形成上述第一金属孔。

进一步地，上述第二介质层包括第一子介质层、第二子介质层与第三子介质层，上述步骤S4包括：步骤S41，在上述第一介质层上的远离上述第一刻蚀阻挡层的表面上设置上述第一子介质层，且上述底电极设置在上述第一子介质层中；步骤S42，在上述第一子介质层的远离上述第一介质层的表面上形成上述MTJ单元，并在裸露的上述第一子介质层的表面上设置上述第二子介质层，上述第二子介质层的远离上述第一子介质层的表面与上述MTJ单元的远离上述第一子介质层的表面上在同一个平面上；步骤S43，在上述第二子介质层的远离上述第一子介质层的表面上设置上述第三子介质层，且上述顶电极设置在上述第三子介质层中；步骤S44，在上述顶电极的裸露表面上设置上述第二刻蚀阻挡层。