[发明专利]一种银纳米线电磁屏蔽膜及其制备方法

权利要求书

1.一种银纳米线电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括：在模具表面涂覆银纳米线溶液，干燥得到银纳米线薄膜；以及将由高分子溶液和固化剂混合得到的高分子溶液混合物涂覆到所述银纳米线薄膜表面，恒温条件下固化得到银纳米线@高分子基底的半嵌入式结构，与模具分离得到所述银纳米线电磁屏蔽膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述银纳米线溶液由银纳米线与溶剂混合得到，所述银纳米线的直径在500 nm以下，所述溶剂水、甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇中至少一种，所述银纳米线溶液的固含量为1%~30 wt %。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述银纳米线薄膜的厚度为1～50μm，所述高分子溶液混合物涂覆厚度为0.1 mm～20 mm。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述固化剂为乙酸丁酯、过氧乙酸叔丁酯、叔丁基过氧化氢、过氧化环己酮、二月桂酸二丁基锡中的至少一种。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述高分子溶液中的高分子化合物与所述固化剂的质量比为1:10~10:1。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述干燥的温度为75℃～200℃，时间为3～50 分钟。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述固化的温度为40℃～100℃。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述模具为表面能在40 mN/m以下的材料，优选聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚三氟氯乙烯中的一种。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述银纳米线溶液和/或所述高分子溶液混合物的涂覆方式为旋涂法、刮涂法、弯月法中的一种或者多种。

10.一种由权利要求1至9中任一项所述的制备方法制备得到的银纳米线电磁屏蔽膜。