[发明专利]进行初始化的方法、记忆装置及其控制器以及电子装置

说明书

本发明公开了一种用来于记忆装置中进行初始化的方法、相关的记忆装置及其控制器以及相关的电子装置。该方法包括：在该记忆装置中的非挥发性内存上电以后，于该非挥发性内存中寻找空内存指针器，其中该空内存指针器是可应用于判断该非挥发性内存是否为空的；以及依据该空内存指针器是否被找到，选择性地跳过或进行于该非挥发性内存中的程序代码信息搜寻，以完成该初始化，其中该初始化包括该记忆装置的至少一初始设定，以及当该空内存指针器被找到，该程序代码信息搜寻被跳过，否则，该程序代码信息搜寻被进行。

技术领域

本发明是有关于闪存(Flash memory)的存取(access)，尤指一种用来于记忆装置中进行初始化(initialization)的方法、相关的记忆装置及其控制器以及相关的电子装置。

背景技术

近年来由于内存的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘；又例如：符合UFS或EMMC规格的嵌入式(embedded)存储装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的内存的存取控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory cell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两组比特信息(诸如00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据相关技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足的处。举例来说，在采用较新的技术制造闪存的状况下，具备大容量的记忆装置的开机时间可能很长。尤其是，对于安装有降级的闪存裸晶(downgraded flash die)的记忆装置，可能会发生各种问题，诸如初始化的时间需要更长、初始化失败等。因此，需要一种新颖的方法及相关架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下提升记忆装置的效能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用来于记忆装置中进行初始化(initialization)的方法、相关的记忆装置及其控制器、以及电子装置，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于提供一种用来于记忆装置中进行初始化的方法、相关的记忆装置及其控制器、以及电子装置，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到记忆装置的优化(optimal)效能。

本发明的至少一实施例提供一种用来于记忆装置中进行初始化的方法，其中该记忆装置包括非挥发性内存(non-volatile memory,NV memory)，该非挥发性内存包括一个或多个非挥发性内存组件(NV memory element)，该一个或多个非挥发性内存组件包括复数个区块(block)。该方法包括：在该非挥发性内存上电以后，于该非挥发性内存中寻找空内存指针器(empty memory indicator)，其中该空内存指针器是可应用于(applicableto)判断该非挥发性内存是否为空的；以及依据该空内存指针器是否被找到，选择性地跳过(skip)或进行于该非挥发性内存中的程序代码信息搜寻，以完成该初始化，其中该初始化包括该记忆装置的至少一初始设定，以及当该空内存指针器被找到，该程序代码信息搜寻被跳过，否则，该程序代码信息搜寻被进行。