[发明专利]一种自发光式生物特征识别成像传感器及其制备方法在审
申请号: | 201810678546.0 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN108878467A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 马东阁;杨德志;马远博 | 申请(专利权)人: | 马远博 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 于晓庆 |
地址: | 130000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介电层 制备 生物特征识别 胶水 纳米发光材料 成像传感器 对比度增强 固体绝缘 系数材料 自发光式 发光层 高介电 阳极层 衬底 无机电致发光材料 氧化铟锡导电薄膜 有机电致发光材料 指纹识别系统 无机量子点 发光材料 透明电极 银纳米线 透明 聚合物 识别率 轻薄 分辨率 炭黑 掺杂 复合 | ||
1.一种自发光式生物特征识别成像传感器,其特征在于,包括:
透明衬底;
复合于所述透明衬底上的阳极层;
复合于所述阳极层上的发光层;
复合于所述发光层上的对比度增强介电层;
复合于所述对比度增强介电层上的介电层;
所述阳极层为氧化铟锡导电薄膜、导电聚合物PEDOT或银纳米线透明电极;
所述发光层由聚合物胶水掺杂纳米发光材料混合而成,所述聚合物胶水与纳米发光材料的重量比为0.5~2;
所述纳米发光材料为有机电致发光材料、无机电致发光材料和无机量子点发光材料中的一种或多种;
所述对比度增强介电层由固体绝缘胶水、高介电系数材料和炭黑按照重量比为10:10:(1~2)的比例组成;
所述介电层由固体绝缘胶水和高介电系数材料按照重量比为2:1、1:1或1:2的比例组成。
2.根据权利要求1所述的一种自发光式生物特征识别成像传感器,其特征在于,所述透明衬底为玻璃或柔性聚合物;所述柔性聚合物为聚苯乙烯PET、聚酰亚胺PI或聚萘二甲酸乙二醇酯PEN;所述聚合物胶水为环氧树脂、PVK或PMMA。
3.根据权利要求1所述的一种自发光式生物特征识别成像传感器,其特征在于,所述纳米发光材料为钙钛矿发光材料。
4.根据权利要求1所述的一种自发光式生物特征识别成像传感器,其特征在于,所述有机电致发光材料为荧光分子材料、磷光分子材料和热延迟荧光材料TADF中的一种或多种;
所述荧光分子材料为Alq3、C545T、DCJTB、rubrene、Bepp2和ADN中的一种或多种;
所述磷光分子材料为Ir(ppy)3、Ir(MDQ)2(acac)和Firpic中的一种或多种;
所述热延迟荧光材料TADF为4CzTPN、DMAC-DPS、HAP-3TPA和Spiro-AN中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的一种自发光式生物特征识别成像传感器,其特征在于,所述无机电致发光材料为ZnS、ZnSe、SrS、ZnO和CuO中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的一种自发光式生物特征识别成像传感器,其特征在于,所述无机量子点发光材料为CdSe、CdS中的一种或两种。
7.根据权利要求1所述的一种自发光式生物特征识别成像传感器,其特征在于,所述高介电系数材料为钛酸钡BaTiO3或无机氧化物;所述无机氧化物为五氧化二钽、二氧化锆、二氧化铪中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的一种自发光式生物特征识别成像传感器,其特征在于,所述发光层的厚度为1~10μm,所述对比度增强介电层和介电层的厚度均为10~1000μm。
9.制备权利要求1至8中任意一项所述的自发光式生物特征识别成像传感器的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、采用磁控溅射或溶液旋涂方法在透明衬底上制备阳极层;
步骤二、将透明衬底上的阳极层光刻成电极,经清洗、氮气吹干后置于真空烘箱内,110℃烘烤30~60min,用氧等离子体处理1~5min;
步骤三、将发光层通过丝网印刷方式印刷在阳极层上,100~130℃固化20~30min;
步骤四、将对比度增强介电层通过丝网印刷方式印刷在发光层上,100~130℃固化20~30min;
步骤五、将介电层通过丝网印刷方式印刷在对比度增强介电层上,100~130℃固化20~30min,得到自发光式生物特征识别成像传感器。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,步骤三、步骤四和步骤五中,固化条件均为120℃固化20min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的