[发明专利]薄膜结构在审
| 申请号： | 201810677661.6 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110649106A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 谢文俊;林振吉 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L33/02 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张晓霞;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅薄膜 纳米粒子 结晶均匀性 薄膜结构 光热效应 再结晶 融化 | ||
1.一种薄膜结构，其特征在于，包括：
非晶硅薄膜；以及
多个纳米粒子，于所述非晶硅薄膜的表面上，且所述多个纳米粒子的材料包括光热效应材料。
2.根据权利要求1所述的薄膜结构，其特征在于，所述多个纳米粒子为多个棒状纳米粒子，且所述多个棒状纳米粒子的延伸方向不垂直于所述非晶硅薄膜的所述表面。
3.根据权利要求2所述的薄膜结构，其特征在于，各所述多个棒状纳米粒子包括芯层与介电皮层，所述介电皮层包裹所述芯层，且所述芯层的材料不同于所述介电皮层的材料。
4.根据权利要求3所述的薄膜结构，其特征在于，所述芯层的材料包括金属，且所述介电皮层的材料选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种。
5.根据权利要求3所述的薄膜结构，其特征在于，所述介电皮层经由涂布方式形成。
6.根据权利要求3所述的薄膜结构，其特征在于，
所述介电皮层的厚度介于5纳米至50纳米之间；或
所述多个棒状纳米粒子的截面积总和占所述非晶硅薄膜表面积的比例介于30％至100％之间。
7.根据权利要求2所述的薄膜结构，其特征在于，所述多个棒状纳米粒子的材料包括硅或锗。
8.根据权利要求2至7中任一权利要求所述的薄膜结构，其特征在于，
所述多个棒状纳米粒子的长径比介于1.1至10之间；或
所述多个棒状纳米粒子于所述非晶硅薄膜上的涂布密度大于1.5×1013个/平方厘米。
9.根据权利要求1所述的薄膜结构，其特征在于，所述多个纳米粒子的材料选自硅、金属掺杂硅、三五族锗类半导体、硫化铜类金属硫化物、纳米碳管、石墨烯类碳基材料、氧化铁类磁性材料、量子点、上转换材料中的一种或多种。
10.根据权利要求9所述的薄膜结构，其特征在于，
所述多个纳米粒子的粒径介于10纳米至100纳米之间；或
所述多个纳米粒子于所述非晶硅薄膜上的涂布密度介于5个/平方微米至100个/平方微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
