[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板，包括提供一基板，并在该基板上依次制备缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、低反射层、栅极、间绝缘层、源漏极、有机膜层、公共电极、钝化层和像素电极；其中，低反射层和栅极采用同一光罩进行制备，且低反射层具有吸收光能而减弱光反射效果，替代了传统遮光金属板的设计，也能有效降低LTPS阵列基板结构的光生漏电流的问题，同时还节省了传统遮光金属板原有的一道光罩制程。因此实施本发明，不仅能有效降低LTPS阵列基板结构的光生漏电流的问题，还能减少阵列基板制作所需的光罩数量，降低了生产周期及成本。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

与传统A-Si(非晶硅薄膜晶体管)技术相比，LTPS(低温多晶硅，Low TemperaturePoly-silicon)技术具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的TFT LCD(薄膜晶体管液晶显示器，Thin Film Transistor liquid crystal display)和AMOLED(有源矩阵有机发光二极体，Active-matrix organic light emitting diode)面板的制作，但相应的TFT阵列基板制作所需光罩的数量更多，产品制作周期更长。因此，如何有效的降低LTPS阵列基板的制作周期，提升生产产能及降低成本，从而增加公司市场竞争力，是目前面板行业关注的重点。然而，改善此问题的有效的方法就是开发新型LTPS阵列基板结构，减少阵列基板制作所需的光罩数量。

在传统的LTPS阵列技术中，通常采用顶栅(Top Gate)外加LS(遮光层，LightShield layer)结构；其中，LS的制备需要新增一道LS光罩，从而在TFT沟道下方形成一块不透光的图案。该LS的作用主要是，在面板工作中阻挡背光源射出的光直接照射到TFT沟道，避免TFT沟道因光照而产生漏电流，一旦过大的漏电流将显著影响产品的光学显示效果并带来很多问题(如串扰、闪烁、对比度减弱等)。

因此，如何在省去LS光罩、减少产品制作周期及降低生产成本的基础上，通过器件结构改善来有效降低光生漏电流是LTPS阵列技术开发的重要内容。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种阵列基板及其制备方法，不仅能有效降低LTPS阵列基板结构的光生漏电流的问题，还能减少阵列基板制作所需的光罩数量，降低了生产周期及成本。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1、提供一基板，在所述基板上覆盖缓冲层；

步骤S2、在所述缓冲层上制备多晶硅层，使得所述多晶硅层形成有位于两端的源极掺杂区、漏极掺杂区以及中间的沟道区，并进一步在所述多晶硅层上制备栅绝缘层；

步骤S3、在所述栅绝缘层上制备具有吸收光能而减弱光反射效果的金属物减反膜层，并在所述金属物减反膜层上制备第一金属层，且进一步采用指定光罩对所述金属物减反膜层和所述第一金属层同时进行曝光、蚀刻、显影制程，得到位于所述多晶硅层的沟道区上方的低反射层及栅极；

步骤S4、在所述缓冲层的上方制备间绝缘层，且所述间绝缘层覆盖在所述缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、低反射层及栅极上，并在所述间绝缘层上开设有第一过孔和第二过孔；其中，所述第一过孔还贯穿所述栅绝缘层并与所述多晶硅层的源极掺杂区连接；所述第二过孔还贯穿所述栅绝缘层并与所述多晶硅层的漏极掺杂区连接；

步骤S5、在所述间绝缘层上制备第二金属层，且所述第二金属层通过所述第一过孔和所述第二过孔分别与所述多晶硅层的源极掺杂区及漏极掺杂区连接，并通过曝光、蚀刻、显影制程，得到与所述多晶硅层的源极掺杂区连接的源极和与所述多晶硅层的漏极掺杂区连接的漏极；

步骤S6、在所述间绝缘层、源极及漏极上覆盖有机膜层，并在所述有机膜层上制备公共电极；