[发明专利]一种实现准全向硅太阳电池的方法及准全向分析方法

权利要求书

1.一种实现准全向硅太阳电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，将硅片置于含金属离子溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；

步骤二，将所述附有金属纳米颗粒的硅片浸入酸性溶液或碱性溶液中，使所述硅片表面形成纳米结构，得到表面附有纳米结构的硅片；

步骤三，将所述表面附有纳米结构的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒，得到制绒的硅片；

步骤四，将所述表面附有纳米结构的硅片制备成太阳电池；

步骤五，对所述太阳电池进行准全向分析，包括以下步骤：

1)测试所述太阳电池的性能参数，所述性能参数包括开路电压、短路电流密度、填充因子、转换效率和不同入射角下的外量子效率；

2)根据所述性能参数计算得出所述太阳电池在一天中不同入射角下的短路电流密度，根据所述性能参数及所述短路电流密度计算得出所述太阳电池的反向饱和电流密度和在一天中不同入射角下的开路电压；

3)根据所述短路电流密度及所述开路电压计算得出所述太阳电池在一天中不同入射角下的发电功率，通过积分的方式计算得出所述太阳电池一天内的发电总量；

4)采用对比的方法分析所述太阳电池的准全向性，所述对比的方法是指选取对比太阳电池，并经过所述步骤1)，所述步骤2)和所述步骤3)计算得到所述对比太阳电池的发电功率和发电总量，所述太阳电池和所述对比太阳电池的发电功率进行对比的方法及所述太阳电池和所述对比太阳电池的发电总量进行对比的方法。

2.如权利要求1所述的实现准全向硅太阳电池的方法，其特征在于，所述步骤三中的酸性溶液为硝酸溶液。

3.如权利要求1所述的实现准全向硅太阳电池的方法，其特征在于，所述步骤四中的太阳电池为同质结太阳电池或异质结太阳电池。

4.如权利要求3所述的实现准全向硅太阳电池的方法，其特征在于，所述同质结太阳电池的工艺流程设置为将所述表面附有纳米结构的硅片依次经过扩散、刻蚀、去磷硅玻璃、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、丝网印刷及烧结。

5.如权利要求3所述的实现准全向硅太阳电池的方法，其特征在于，所述异质结太阳电池的工艺流程设置为将所述表面附有纳米结构的硅片经过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)、丝网印刷及烧结。

6.如权利要求1所述的实现准全向硅太阳电池的方法，其特征在于，所述步骤五中的所述开路电压、所述短路电流密度、所述填充因子和所述转换效率在AM1.5光谱下进行测试。

7.如权利要求1所述的实现准全向硅太阳电池的方法，其特征在于，所述步骤五中的所述不同入射角下的外量子效率在量子效率测试仪上进行测试。