[发明专利]一种单晶硅原料高效清洗装置在审

专利信息
申请号: 201810674738.4 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN110639881A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 陈春成;戚建静 申请(专利权)人: 江苏晶品新能源科技有限公司
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08;B08B3/10;B08B13/00;A61L2/10;F26B23/06;H01L21/02
代理公司: 11427 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 陈娟
地址: 225600 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 清洗槽 单晶硅 夹紧板 从动锥齿轮 主动锥齿轮 从动链轮 主动链轮 固定块 转动轴 高效清洗装置 单晶硅原料 充分接触 顶部设置 对称设置 滑动连接 啮合连接 清洗技术 清洗效果 驱动电机 乙醇溶液 紫外线灯 出水口 电机轴 放置槽 外侧壁 支撑座 两组 螺杆 内壁 内腔 链条 贯穿
【说明书】:

发明公开了单晶硅清洗技术领域的一种单晶硅原料高效清洗装置,包括清洗槽,所述清洗槽内腔对称设置有两组夹紧板,所述夹紧板内侧设置有放置槽,所述夹紧板的外侧壁设置有固定块,所述固定块底部滑动连接有支撑座一,所述螺杆的中部设置有从动锥齿轮,所述从动锥齿轮啮合连接有主动锥齿轮,所述主动锥齿轮的顶部设置有转动轴,所述转动轴贯穿清洗槽的顶部与从动链轮连接,所述从动链轮通过链条与主动链轮连接,所述主动链轮与驱动电机的电机轴固定连接,所述清洗槽的右侧底部设置有出水口,所述清洗槽的两端内壁设置有紫外线灯,该装置快速高效,同时乙醇溶液与单晶硅充分接触,使单晶硅的清洗效果更佳。

技术领域

本发明涉及单晶硅清洗技术领域,具体为一种单晶硅原料高效清洗装置。

背景技术

在硅片的加工过程中,每一道工序都涉及到清洗,由于很多半导体分立器件是在硅研磨片表面直接制造或衬底扩散而成,因此,硅研磨片清洗质量的好坏将直接影响下一道工序,甚至影响器件的成品率和可靠性。目前,常规的半导体硅研磨片的清洗方法有两种:手洗和超声波清洗。手洗效果差,清洗后的研磨硅片上仍然会有许多研磨金刚砂,硅粉末残留,为此,我们提出一种单晶硅原料高效清洗装置。

发明内容

本发明的目的在于提供一种单晶硅原料高效清洗装置,以解决上述背景技术中提出的的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种单晶硅原料高效清洗装置,包括清洗槽,所述清洗槽内腔对称设置有两组夹紧板,所述夹紧板内侧设置有放置槽,所述夹紧板的外侧壁设置有固定块,所述固定块底部滑动连接有支撑座一,所述支撑座一的底部设置有缓冲装置,所述缓冲装置的底部设置有支撑座二,所述支撑座二与清洗槽内腔底部固定连接,所述清洗槽内腔顶部设置有挂块,所述挂块的底部设置有螺杆,所述螺杆的外壁套接有两组滑块,所述滑块的前端外壁通过销轴设置有连接杆,且连接杆的中部插接有转轴,所述转轴前后两端与清洗槽的内壁连接,所述连接杆的底部通过销轴与固定块的前端左侧相连接,所述螺杆的中部设置有从动锥齿轮,所述从动锥齿轮啮合连接有主动锥齿轮,所述主动锥齿轮的顶部设置有转动轴,所述转动轴贯穿清洗槽的顶部与从动链轮连接,所述从动链轮通过链条与主动链轮连接,所述主动链轮与驱动电机的电机轴固定连接,所述驱动电机设置在清洗槽的右侧端壁,所述清洗槽的左侧设置有进水口,所述清洗槽的右侧底部设置有出水口,所述清洗槽的两端内壁设置有紫外线灯。

优选的,所述缓冲装置包括与支撑座二顶部固定连接的底座,所述底座上设置有梯形块,所述梯形块的顶部设置有梯形槽,所述梯形槽内设置有与梯形槽相匹配的梯形滑块,所述梯形滑块底部设置有压缩弹簧,所述压缩弹簧的另一端与梯形槽底部固定连接,所述梯形滑块的顶部设置有顶座。

优选的,所述支撑座一的顶部设置有燕尾滑槽,所述固定块的底部设置有与燕尾滑槽相匹配的燕尾滑块。

优选的,所述螺杆位于从动锥齿轮左右两侧的外壁设置的螺纹旋向相反。

优选的,所述紫外线灯内部设置有电阻丝,所述紫外线灯的外壁涂有沥青层。

优选的,所述夹紧板的一侧均设置有三组放置槽,所述夹紧板上设置有丝网。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:从进水口注入乙醇溶液,启动驱动电机,驱动电机通过电机轴带动主动链轮转动,主动链轮通过链条带动从动链轮转动,从动链轮通过转动轴带动主动锥齿轮转动,与主动锥齿轮啮合连接的从动锥齿轮随之转动,从动锥齿轮带动螺杆转动,螺杆上的滑块同时向左或向右运动,与滑块连接的连接杆通过转轴推拉固定块,固定块带动夹紧板运动,放置在放置槽内的单晶硅随之运动,夹紧板带动清洗槽内的乙醇溶液运动,使单晶硅与乙醇溶液充分接触,清洗完后,打开出水口的阀门,乙醇溶液排出后,紫外线灯工作,对单晶硅进行杀菌消毒,电阻丝工作对清洗槽内的装置和单晶硅进行烘干,该装置快速高效,同时乙醇溶液与单晶硅充分接触,使单晶硅的清洗效果更佳。

附图说明

图1为本发明结构示意图;

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