[发明专利]一种升压控制电路及电子设备有效

专利信息
申请号: 201810672924.4 申请日: 2018-06-26
公开(公告)号: CN108923642B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 范建功 申请(专利权)人: 努比亚技术有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 代理人: 田俊峰
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 升压 控制电路 电子设备
【权利要求书】:

1.一种升压控制电路,其特征在于,包括:升压电路和电压调节电路,其中,

所述升压电路包括:第一充放电模块、第二充放电模块、开关电路和第一控制信号端、第二控制信号端和升压电路输出端,所述第一充放电模块串联于所述第一控制信号端和升压电路输出端之间,所述第二充放电模块串联于所述第二控制信号端和升压电路输出端之间,所述开关电路分别与所述第一充放电模块和第二充放电模块相连接;所述开关电路基于所述第一控制信号端和第二控制信号端的电平高低,控制第一充放电模块、第二充放电模块进行交互充放电;

所述电压调节电路包括:第三充放电模块、电流调节模块、电压反馈模块、参考电压端、基准电流端和电压输出端,其中,所述电压输出端与所述升压电路输出端相连接;所述电流调节模块的输入端分别与所述基准电流端、参考电压端、电压输出端相连接,所述电流调节模块的输出端与所述电压反馈模块的输入端相连接,所述第三充放电模块串联于所述电压反馈模块的输出端与电压输出端相连接;

所述电流调节模块包括:第一电阻R、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第七MOS管M7和第八MOS管M8,其中,

所述第一电阻R的一端与所述电压输出端相连接,另一端与所述第七MOS管M7的源极相连接;

所述第七MOS管M7的栅极与所述第八MOS管M8的栅极相连接;所述第七MOS管M7的漏极作为所述电流调节模块的输出端;

所述第八MOS管M8的源极作为输入端与所述参考电压端相连接;所述第八MOS管M8的栅极和漏极短路连接;

所述第一MOS管M1的漏极与所述基准电流端相连接,所述第一MOS管M1的漏极和栅极相短路,且所述第一MOS管M1的源极接地;

所述第二MOS管M2的栅极与所述基准电流端相连接,所述第二MOS管M2的漏极与所述第八MOS管M8的漏极相连接;所述第二MOS管M2的源极接地;

所述第三MOS管M3的栅极与所述基准电流端相连接,所述第三MOS管M3的漏极与所述第七MOS管M7的漏极相连接;所述第三MOS管M3的源极接地;

所述电压反馈模块包括:第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第三电阻R3和第四电容C4,其中,

所述第四电容C4的第一端作为所述电压反馈模块的输入端相连接,且所述第四电容C4的第二端通过第三电阻R3与所述参考电压端相连接;

所述第六MOS管M6的源极与所述参考电压端相连接,所述第六MOS管M6的栅极与第二控制信号相连接;

所述第五MOS管M5的栅极与所述第四电容C4的第一端相连接;所述第五MOS管M5的源极与所述第六MOS管M6的漏极相连接,所述第五MOS管M5的漏极作为所述电压反馈模块的输出端;

所述第四MOS管M4的漏极与所述第五MOS管M5的漏极相连接;所述第四MOS管M4的栅极与第二控制信号相连接;所述第四MOS管M4的源极接地;

所述第三充放电模块为第二电容C2。

2.根据权利要求1所述的升压控制电路,其特征在于,所述第一充放电模块为第一电容C0,所述第二充放电模块为第二电容C1;

所述开关电路包括:第十一MOS管M11和第十二MOS管M12,其中,

所述第一电容C0的第一端与第一控制信号输入端相连接,第一电容C0的第二端与第十一MOS管M11的源极相连接,所述第二电容C1的第一端与第二控制信号输入端相连接,所述第二电容C1的第二端与第十二MOS管12的源极相连接;所述第一电容CO和第二电容C1的第二端均与所述升压电路输出端相连接;

所述第十一MOS管M11的漏极和第十二MOS管M12的漏极相连接,并且所述第十一MOS管M11的栅极与第十二MOS管M12的源极相连接,第十二MOS管M12的栅极与第十一MOS管M11的源极相连接。

3.根据权利要求2所述的升压控制电路,其特征在于,所述升压电路还包括第一单向导通电路和第二单向导通电路,其中,

所述第一单向导通电路位于第一充放电模块的输出端和升压电路输出端之间,且控制所述升压电路输出端指向所述电压输出端方向导通;

所述第二单向导通电路位于第二充放电模块的输出端和升压电路输出端之间,且控制所述升压电路输出端指向所述电压输出端方向导通。

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