[发明专利]一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法有效
| 申请号： | 201810672690.3 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108963065B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 制备 单层 多层 石墨 热电 探测器 方法 | ||
1.一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）在衬底材料上生长一层绝缘介质层；
（2）在绝缘介质层上转移一层多层石墨烯薄膜；
（3）对部分多层石墨烯薄膜进行激光烧蚀，使部分多层石墨烯薄膜变成单层石墨烯薄膜，激光能量为10-50毫瓦；
（4）在未经烧蚀的多层石墨烯薄膜的一端淀积第一金属电极，在经激光烧蚀后得到的单层石墨烯薄膜的一端淀积第二金属电极，即得到单层多层石墨烯热电探测器。
2.根据权利要求1所述的一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法，其特征在于，步骤（1）所述衬底材料为硅材料。
3.根据权利要求2所述的一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法，其特征在于，步骤（1）所述绝缘介质层为二氧化硅、氮化硅、氧化铪或氧化铝。
4.根据权利要求3所述的一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法，其特征在于，步骤（1）所述绝缘介质层的厚度为30～200nm。
5.根据权利要求1所述的一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法，其特征在于，步骤（1）所述绝缘介质层通过氧化或淀积方式生长在衬底材料上。
6.根据权利要求1所述的一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法，其特征在于，步骤（2）所述多层石墨烯薄膜替换为MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、TiS2或VSe2。
7.根据权利要求1所述的一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法，其特征在于，步骤（4）所述第一金属电极和第二金属电极通过磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法进行沉积，厚度为80-200 nm。
8.根据权利要求1所述的一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法，其特征在于，步骤（4）所述第一金属电极和第二金属电极采用同种材料，或采用不同材料。
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