[发明专利]半导体器件

说明书

本发明涉及一种半导体器件。为了减少半导体器件的大小。半导体器件包括：第一光发射元件，其发射具有第一波长的第一光以发送第一信号；第二光发射元件，其发射具有第二波长的第二光以发送第二信号；第一光接收元件，其接收第一光以接收第一信号；以及第二光接收元件，其在平面图中重叠第一光接收元件并且接收透过第一光接收元件的第二光以接收第二信号。

相关申请的交叉引用

包括说明书、附图和摘要的、于2017年6月29日提交的日本专利申请号2017-126865的公开内容以整体内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体器件，并且更具体地，涉及对于具有多沟道光电耦合器的半导体器件有用的技术。

背景技术

日本未经审查的专利申请公开号2008-235599公开了多沟道光电耦合器的结构和用于操纵其的方法。多沟道光电耦合器包括两个光发射元件14和两个光接收区11，其中，一个光发射元件14通过透明的第一树脂13光学地耦合到一个光接收元件11。换句话说，透明的第一树脂13被提供用于每个沟道并且多个透明的第一树脂13由不透明的第二树脂15光学地分离。

发明内容

期望具有多沟道光电耦合器的半导体器件是紧凑的。

本发明的以上和其他目标和新颖特征将从本说明书中和附图中的以下详细描述而更完全地出现。

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，其包括：第一光发射元件，其发射具有第一波长的第一光以发送第一信号；第二光发射元件，其发射具有第二波长的第二光以发送第二信号；第一光接收元件，其接收第一光以接收第一信号；以及第二光接收元件，其在平面图中重叠第一光接收元件，并且接收透过第一光接收元件的第二光以接收第二信号。

根据本发明，提供了紧凑的半导体器件。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的半导体器件的结构的电路图；

图2是示出根据实施例的半导体器件的结构的平面图；

图3是沿着图2的线X1-X1截取的剖视图；

图4是根据实施例的半导体器件的主要部分的平面图；

图5是沿着图4的线X2-X2截取的剖视图；

图6是示出根据实施例的半导体器件的结构的示意图；

图7是示出硅的光吸收系数和光透射长度对波长的依赖性的图；

图8是示出根据实施例的第一光接收元件的灵敏度对波长的依赖性的图；

图9是示出根据实施例的第二光接收元件的灵敏度对波长的依赖性的图形；

图10是根据变型1的半导体器件的主要部分的平面图；

图11是根据变型2的半导体器件的主要部分的平面图；以及

图12是根据变型3的半导体器件的主要部分的平面图。

具体实施方式