[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示装置在审
| 申请号： | 201810667705.7 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108962975A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 聂晓辉;张嘉伟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温多晶硅薄膜晶体管 显示装置 制作 栅电极绝缘层 低温多晶硅 第一基板 栅电极层 介电层 多晶硅薄膜晶体管 金属薄膜图形 传统低温 掺杂层 缓冲层 遮光层 沟道 光罩 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
提供第一基板和第二基板；
在第一基板上制作第一透光粘附层，在第二基板上制作第二透光粘附层；
在所述第二透光粘附层上制作缓冲层；
在所述缓冲层上制作低温多晶硅层和掺杂层；
在所述低温多晶硅层、掺杂层和缓冲层上制作栅电极绝缘层；
在所述栅电极绝缘层上制作栅电极层；
在所述栅电极层上制作介电层；
将所述第一基板与所述第二基板邦定，使所述第一透光粘附层粘接于所述介电层上；
将所述第二透光粘附层从所述缓冲层上剥离。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上制作低温多晶硅层和掺杂层包括：
在所述缓冲层上制作低温多晶硅层；
在所述缓冲层上制作掺杂层，使得所述低温多晶硅层和所述掺杂层位于同一层。
3.根据权利要求1所述的低温多晶硅低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上制作低温多晶硅层包括：通过涂布光阻、曝光、显影及蚀刻工艺将低温多晶硅图形化形成低温多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板通过高温烘烤工艺邦定。
5.根据权利要求3所述的低温多晶硅低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上制作掺杂层包括：
在所述低温多晶硅层一侧制作用于连接源极的源极接触区；
在所述低温多晶硅层另一侧制作用于连接漏极的漏极接触区。
6.根据权利要求1所述的低温多晶硅低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述栅电极绝缘层上制作栅电极层包括：通过涂布光阻、曝光、显影、蚀刻工艺将栅电极图形化形成栅电极层。
7.一种低温多晶硅低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：
第一基板；
形成于所述第一基板上的介电层；
形成于所述介电层上的栅电极层；
形成于所述栅电极层上的栅电极绝缘层；
形成于所述栅电极绝缘层上的低温多晶硅层和掺杂层；
形成于所述低温多晶硅层上的缓冲层。
8.根据权利要求7所述的低温多晶硅低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述掺杂层包括形成于所述低温多晶硅层两侧的源极接触区和漏极接触区，所述源极接触区与源极连接，所述漏极接触区与漏极连接。
9.根据权利要求7所述的低温多晶硅低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述第一基板和介电层之间形成有第一粘附层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7-9任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管。
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