[发明专利]控制记忆装置的方法、记忆装置、及其控制器和电子装置

说明书

本发明公开了一种用来控制一记忆装置的运作的方法、相关的记忆装置及其控制器以及相关的电子装置。所述方法可包括：传送一读取指令至一非挥发性存储器，以使所述非挥发性存储器输出一数据流；以及分别利用所述控制器的一控制逻辑电路中的多个子电路，对所述数据流进行平行处理。例如，分别利用所述多个子电路对所述数据流进行平行处理可包括：利用一随机化/去随机化及错误更正码电路依据所述数据流进行去随机化及错误更正码解码，其中这个运作涉及所述记忆装置的初始化；以及利用一空页侦测电路依据所述数据流进行空页侦测，其中这个运作涉及所述记忆装置的初始化的加速。本发明的有益之处于能够避免电子装置的初始化被记忆装置的初始化延迟。

技术领域

本发明涉及闪存(Flash memory)的存取(access)控制，尤指一种用来控制一记忆装置的运作的方法、相关的记忆装置及其控制器以及相关的电子装置。

背景技术

近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘；又例如：符合UFS或EMMC规格的嵌入式(embedded)存储装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的存储器的存取控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory cell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以透过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两组位信息(诸如00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据现有技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足的地方。举例来说，在记忆装置的初始化完成之前，电子装置无法使用记忆装置中的存储空间。在记忆装置被设置于电子装置中的状况下，电子装置的初始化可能被记忆装置的初始化延迟。尤其是，电子装置的系统信息可能被存储于记忆装置中，所以电子装置在开机的期间可能被迫等待记忆装置的初始化的完成，才能读取系统信息，这可造成电子装置开机时间过长。因此，需要一种新颖的方法及相关架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下提升记忆装置的效能。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种用来控制一记忆装置的运作的方法、相关的记忆装置及其控制器以及相关的电子装置，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于公开一种用来控制一记忆装置的运作的方法、相关的记忆装置及其控制器以及相关的电子装置，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下提升记忆装置的效能。