[发明专利]低温烧成高铝陶瓷及其制备方法在审
| 申请号: | 201810663748.8 | 申请日: | 2018-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN108892489A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
| 发明(设计)人: | 任国兴;马冬冬 | 申请(专利权)人: | 河津市锦浩特种陶瓷有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/117 | 分类号: | C04B35/117;C04B35/622 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 043300 山西省运*** | 国省代码: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高铝陶瓷 低温烧成 制备 生物性能 三氧化二锑 三氧化二铋 氧化铝陶瓷 重量份配比 高岭土 二氧化硅 二氧化钛 工艺难度 能源损耗 使用寿命 现有设备 烧结 氧化钙 氧化铝 氧化镁 钵具 烧成 窑炉 钼棒 | ||
1.低温烧成高铝陶瓷,其特征在于包括如下重量份配比的原料:
三氧化二铋 0.2~1份,
三氧化二锑 0.2~1份,
二氧化钛 0.4~1份,
氧化镁 0.1~0.5份,
二氧化硅 0.5~1.5份,
高岭土 0.5~2份,
氧化钙 2~8份,
氧化铝 100份。
2.根据权利要求1所述的低温烧成高铝陶瓷,其特征在于包括如下重量份配比的原料:
三氧化二铋 0.3~0.5份,
三氧化二锑 0.3~0.5份,
二氧化钛 0.4~0.8份,
氧化镁 0.2~0.4份,
二氧化硅 0.5~1份,
高岭土 1~2份,
氧化钙 2~4份,
氧化铝 100份。
3.根据权利要求1所述的低温烧成高铝陶瓷,其特征在于:所述三氧化二铋、三氧化二锑、二氧化钛均采用细度为D50≤4微米的高纯度、高细度原料。
4.根据权利要求1所述的低温烧成高铝陶瓷,其特征在于:所述氧化镁、二氧化硅、高岭土、氧化钙和氧化铝均采用细度为D50≤4微米的高纯度、高细度原料。
5.如权利要求1所述的低温烧成高铝陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
第一步,按所述配比将原料倒入容器中加水混合成料浆,所述原料与水的重量份配比为:原料300份,水150-180份;
第二步,在料浆内加入分散剂和塑化剂,并对料浆进行搅拌湿磨,搅拌速度为90-120r/min,搅拌时间为140-160 min,经激光粒度检测仪检测料浆的细度到达D50≤2.2微米时停止湿磨;
第三步,在料浆内加入PVA溶液并混合均匀,所述PVA溶液的重量为料浆总重的10-12%;
第四步,将料浆通过喷雾造粒塔进行造粒,然后干压或等静压成型;
第五步,将粉料制成陶瓷毛坯并在隧道窑中进行烧制成型,隧道窑中的烧制温度为1490~1520℃,且陶瓷毛坯在烧制中必须在1520℃下保温2-2.5 h;
第六步,将烧制成型的高铝陶瓷移出隧道窑后冷却。
6.根据权利要求5所述的低温烧成高铝陶瓷的制备方法,其特征在于:所述第三步中的PVA溶液为浓度10%的PVA溶液。
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