[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法及含有石墨烯薄膜的装置

权利要求书

1.一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

在金属基底上形成钝化层；

在所述钝化层上形成孔洞，使得通过所述孔洞漏出所述金属基底；

在露出所述金属基底的孔洞上形成石墨烯薄膜，并且，所述石墨烯薄膜覆盖所述钝化层；

所述孔洞的密度为1个/cm² ~10个/cm²，所述孔洞的孔径为1nm~1μm，所述钝化层的厚度为5nm~30nm。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述钝化层上形成孔洞，具体包括：

采用电子束曝光法、聚离子束刻蚀法或光刻法，在所述钝化层上形成孔洞。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在露出所述金属基底的孔洞上形成石墨烯薄膜，具体包括：

采用化学气相沉积法，在露出所述金属基底的孔洞上沉积形成石墨烯薄膜。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法，在露出所述金属基底的孔洞上沉积形成石墨烯薄膜，具体包括：

采用流量为1sccm~5sccm的甲烷作为碳源，并采用流量为50sccm 的氩气和流量为100sccm~300 sccm的氢气作为辅助气体，在800℃~1100℃的温度下沉积15min~120min，使得在漏出所述金属基底的孔洞上形成石墨烯薄膜。

5.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，在金属基底上形成钝化层之前，还包括：

对金属基底进行抛光处理。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，对金属基底进行抛光处理，具体包括：

采用磷酸:乙二醇体积比为3:1的混合液，在电压为2V的条件下，对金属基底进行10min~60min的抛光处理。

7.一种含有石墨烯薄膜的装置，其特征在于，所述石墨烯薄膜采用如权利要求1-6任一项所述的制备方法制得。