[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：形成第一类型鳍侧墙和第二类型鳍侧墙，第一类型鳍侧墙分别位于第三鳍部区组在第三鳍部区宽度方向上的两侧侧壁、以及第四鳍部区组在第四鳍部区宽度方向上的两侧侧壁，第二类型鳍侧墙位于在第三鳍部区宽度方向上相邻的第三鳍部区之间且位于第三鳍部区的侧壁，第二类型鳍侧墙还位于在第四鳍部区宽度方向上相邻的第四鳍部区之间且位于第四鳍部区的侧壁，第一类型鳍侧墙的顶部表面高于第二类型鳍侧墙的顶部表面、且高于第三鳍部区和第四鳍部区的顶部表面；之后形成第一掺杂层和第二掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管，是现代集成电路中最重要的元件之一。MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅极结构两侧半导体衬底中的源漏掺杂区。

随着半导体技术的发展，传统的平面式的MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(Fin FET)是一种新兴的多栅器件，它一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁的栅极结构，位于栅极结构两侧的鳍部中的源漏掺杂区。

然而，现有技术中鳍式场效应晶体管构成的半导体器件的性能有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区和与第一区相邻的第二区，半导体衬底第一区上具有多个相邻的第一鳍部，半导体衬底第二区上具有多个相邻的第二鳍部，各第一鳍部包括第一鳍部区，各第二鳍部包括第二鳍部区；刻蚀第一鳍部区，使第一鳍部区形成第三鳍部区，第三鳍部区的顶部表面低于第一鳍部区的顶部表面，多个第三鳍部区构成第三鳍部区组；刻蚀第二鳍部区，使第二鳍部区形成第四鳍部区，第四鳍部区的顶部表面低于第二鳍部区的顶部表面，多个第四鳍部区构成第四鳍部区组；形成第一类型鳍侧墙和第二类型鳍侧墙，第一类型鳍侧墙分别位于第三鳍部区组在第三鳍部区宽度方向上的两侧侧壁、以及第四鳍部区组在第四鳍部区宽度方向上的两侧侧壁，第二类型鳍侧墙位于在第三鳍部区宽度方向上相邻的第三鳍部区之间且位于第三鳍部区的侧壁，第二类型鳍侧墙还位于在第四鳍部区宽度方向上相邻的第四鳍部区之间且位于第四鳍部区的侧壁，第一类型鳍侧墙的顶部表面高于第二类型鳍侧墙的顶部表面、且高于第三鳍部区和第四鳍部区的顶部表面；在第一区的第一类型鳍侧墙之间形成第一掺杂层，且第一掺杂层位于第三鳍部区组和第一区的第二类型鳍侧墙上，在形成第一掺杂层的同时，在第二区的第一类型鳍侧墙之间形成第二掺杂层，且第二掺杂层位于第四鳍部区组和第二区的第二类型鳍侧墙上，第三鳍部区上的第一掺杂层在第三鳍部区宽度方向上相互连接，第四鳍部区上的第二掺杂层在第四鳍部区宽度方向上相互连接。

可选的，还包括：在刻蚀第一鳍部区和第二鳍部区之前，在半导体衬底第一区和第二区上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖第一鳍部区的部分侧壁和第二鳍部区的部分侧壁；形成第三鳍部区和第四鳍部区后，所述隔离结构覆盖第三鳍部区的部分侧壁和第四鳍部区的部分侧壁；所述第一类型鳍侧墙和第二类型鳍侧墙位于所述隔离结构表面上。

可选的，还包括：在刻蚀第一鳍部区和第二鳍部区之前，在第一区和第二区的隔离结构表面、第一鳍部区的侧壁表面和顶部表面、以及第二鳍部区的侧壁表面和顶部表面形成侧墙材料层；对侧墙材料层进行差异化工艺处理，形成第一类型鳍侧墙和第二类型鳍侧墙；在刻蚀第一鳍部区以形成第三鳍部区组、刻蚀第二鳍部区以形成第四鳍部区组的过程中进行差异化工艺处理。