[发明专利]一种非易失存储器擦除方法及装置

说明书

本发明实施例提供了一种非易失存储器擦除方法及装置，该方法包括：通过逻辑控制模块确定多个待擦除存储块；在一次擦除操作中，对多个待擦除存储块同时执行擦除操作，擦除验证，包括：检测多个待擦除存储块中的数据是否被完全擦除；若多个待擦除存储块中的数据没有被完全擦除，确定高于当前擦除电压的第一擦除电压；在下一次擦除操作中，根据第一擦除电压对数据没有被完全擦除的待擦除存储块执行擦除操作。本发明实施例中，在一次的擦除操作中，可以对多个待擦除存储块同时进行擦除操作，相较于现有技术中的一次只进行一个存储块的擦除操作，本发明实施例大大节省了擦除时间，总体上能提升对非易失存储器的擦除和验证效率。

技术领域

本发明涉及存储器处理技术领域，特别是涉及一种非易失存储器擦除方法及装置。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件被广泛应用于电子产品中。以非易失性存储器NAND闪存(NAND Flash Memory)为例，NAND存储器由多个存储单元(cell)组成，一个存储单元可以包括多个存储块(block)，例如，一个存储单元可以包括：block 1、block 2…block n；n为自然数。

现有技术中，对NAND闪存的存储单元进行擦除操作时，通常一次擦除操作只能对多个block中的其中一个block进行擦除，即采用逐个block擦除的方式完成对各存储单元的擦除，在一次擦除后，通常还需要逐个验证各block是否擦除成功。

然而，发明人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：假设一个存储单元有n个block，每擦除一个block需要的时间为T1，每验证一个block是否擦除成功需要的时间为T2，则完成该存储单元的擦除和验证需要时长为n*(T1+T2),然而随着存储器的容量不断地扩大，现有擦除方式对整个存储单元进行擦除和验证所需要消耗的时间也会成倍的增加，擦除和验证效率较低。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例的一种非易失存储器擦除方法及装置，以提升非易失存储器进行擦除和验证操作时的效率。

根据本发明的第一方面，提供了一种非易失存储器擦除方法，所述方法包括：

通过逻辑控制模块确定多个待擦除存储块；

在一次擦除操作中，对所述多个待擦除存储块同时执行擦除操作；

擦除验证，包括：检测所述多个待擦除存储块中的数据是否被完全擦除；若所述多个待擦除存储块中的数据没有被完全擦除，确定高于当前擦除电压的第一擦除电压；在下一次擦除操作中，根据所述第一擦除电压对数据没有被完全擦除的待擦除存储块执行擦除操作。

优选地，所述非易失存储器中包括n个存储块，n为自然数；所述通过逻辑控制模块确定多个待擦除存储块的步骤，包括：

通过逻辑控制模块确定n个待擦除存储。

优选地，还包括：

重复执行所述擦除验证的步骤，直到所述多个待擦除存储块中的数据被完全擦除。

优选地，所述方法应用于多plane非易失存储器。

优选地，所述方法应用于非易失存储器的初始化过程。

根据本发明的第二方面，提供了一种非易失存储器擦除装置，所述装置包括：

确定模块，用于通过逻辑控制模块确定多个待擦除存储块；

擦除模块，用于在一次擦除操作中，对所述多个待擦除存储块同时执行擦除操作；