[发明专利]一种碲化镉薄膜电池及制备方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜电池，其特征在于，所述碲化镉薄膜电池由下至上依次包括衬底层、透明导电层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层，所述窗口层的材料为硫化镉薄膜，所述光吸收层的材料为碲化镉薄膜，所述背接触层的材料为氮化铜薄膜，所述背电极层的材料为镍钒合金；

所述光吸收层的厚度为2-4μm；

所述背接触层的厚度为5-50nm；

所述镍钒合金中镍：钒的摩尔比为1∶5-5∶1。

2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜电池，所述透明导电层的材料为选自FTO透明导电膜、ITO透明导电膜或AZO透明导电膜中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜电池，其特征在于，所述背电极层的厚度为300-500nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的碲化镉薄膜电池，其特征在于，还包括封装材料层和背板层，所述封装材料层和所述背板层依次设置于所述背电极层上。

5.根据权利要求1-4任一项所述的碲化镉薄膜电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供衬底层，在所述衬底层上沉积透明导电膜，得透明导电层；

(2)在所述透明导电层上沉积硫化镉，得窗口层；

(3)在所述窗口层上沉积碲化镉，得光吸收层；

(4)在所述光吸收层上磁控溅射氮化铜，得背接触层；

(5)在所述背接触层上磁控溅射镍钒合金，得背电极层；

(6)对所述背接触层和所述背电极层进行退火处理。

6.根据权利要求5所述的碲化镉薄膜电池的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为150-250℃，所述退火处理的时间为10-30min。

7.根据权利要求5所述的碲化镉薄膜电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括进行封装。