[发明专利]一种晶体管高效检测方法

说明书

本发明提出的一种晶体管高效检测方法，包括以下步骤：S1、在测试容器里面设置多个用于放置待检测晶体管的测试工位，测试容器内对应每一个测试工位运动安装有一个密封罩；S2、将多个待检测晶体管分布到测试容器内的多个测试工位上，各密封罩均调整到第二状态，然后密封测试容器并对测试容器内部抽真空至预设的第一负压状态；S3、向测试容器内填充酒精气体，直至测试容器内的压强达到预设的第一压强阈值。S6、选择一个测试工位作为当前测试位，驱动当前测试位上的密封罩调整到第二状态并持续第一时间值，然后检测测试容器内当前的酒精浓度并记为第二浓度值。本发明在批量检测提高检测效率的情况下保证晶体管的检测精确度。

技术领域

本发明涉及晶体管检测技术领域，尤其涉及一种晶体管高效检测方法。

背景技术

场效应晶体管(Field Effect Transistor，FET)简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。FET有三个晶体管，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，例如采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应管可应用于放大电路，电子开关，阻抗变换，恒流源，气敏传感器，生物基可穿戴设备(质子传导FET)等。

对于用于气敏传感器和生物基可穿戴设备的FET，性能表征时常常需要用到特定的气氛诸如氢气、湿度、VOCs标准气等，同时要求能同时进行多样品测试以便测定器件的重复性与不同器件的单因素性能对比。因此，场效应晶体管密封测试对于未来基于FET的气敏传感器和生物基可穿戴设备领域的发展至关重要。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种晶体管高效检测方法。

本发明提出的一种晶体管高效检测方法，包括以下步骤：

S1、在测试容器里面设置多个用于放置待检测晶体管的测试工位，测试容器内对应每一个测试工位运动安装有一个密封罩；密封罩第一状态下配合测试容器内部结构形成隔离测试工位上晶体管的密封腔室；密封罩第二状态下，其内侧与外侧连通；

S2、将多个待检测晶体管分布到测试容器内的多个测试工位上，各密封罩均调整到第二状态，然后密封测试容器并对测试容器内部抽真空至预设的第一负压状态；

S3、向测试容器内填充酒精气体，直至测试容器内的压强达到预设的第一压强阈值；

S4、以相同的流速同时对测试容器进行空气输入和排出，直至测试容器内的酒精含量达到预设第一浓度值后停止空气输入和排出；

S5、驱动各密封罩均调整到第一状态，然后将测试容器内部抽真空至预设的第二负压状态；

S6、选择一个测试工位作为当前测试位，驱动当前测试位上的密封罩调整到第二状态并持续第一时间值，然后检测测试容器内当前的酒精浓度并记为第二浓度值；

S7、判断第二浓度值是否大于第一浓度值；否，则返回步骤S5；

S8、是，则对当前测试位进行记录，然后返回步骤S4。

优选地，对各测试工位逐一检测。

优选地，步骤S7中，当第二浓度值小于或等于第一浓度值，则进一步判断各测试工位是否全部检测完成，是，则结束检测；否，则返回步骤S5。

优选地，步骤S8中，当第二浓度值大于第一浓度值；则对当前测试位进行记录并进一步判断各测试工位是否全部检测完成，是，则结束检测；否，则返回步骤S4。

优选地，第二负压状态下测试容器内的压强的等于第一负压状态下测试容器内的压强。