[发明专利]一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽在审

专利信息
申请号: 201810657694.4 申请日: 2018-06-25
公开(公告)号: CN108878321A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 刘芳军 申请(专利权)人: 扬州思普尔科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 代理人: 黄胡生
地址: 225000 江苏省扬州市高新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 清洗槽 半导体晶圆 清洗 循环水管 冲水槽 节能 快速清洗 喷淋装置 循环水阀 进气管 进水管 排水阀 底端 半导体 水资源
【说明书】:

发明提供一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽,具体涉及半导体生产领域,包括清洗槽,所述清洗槽的下侧设有进水管和进气管,所述清洗槽的上方设有喷淋装置,所述清洗槽的上部一侧还设有循环水管,所述循环水管上设有循环水阀,所述清洗槽的底端设有排水阀。本发明不仅可实现高效、快速清洗,增强清洗半导体晶圆的效果,且可降低水资源的浪费。

技术领域

本发明属于半导体生产领域,具体涉及一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。

半导体晶圆的清洗,冲水槽主要有两种,其中一种是溢流槽,普遍为量级溢流,清洗用纯水从一级溢流槽底部进入,满槽后经过高低设计的隔板,溢流进入二级槽内,二级槽满后溢流排出,清洗产品首先放在二级槽内一段时间,然后再移入一级槽内静置一段时间,取出后即清洗完毕,清洗主要靠水的流动带走晶圆表面的沾污物,虽然此类结构简单,但是清洗时间长,清洗效果不理想;

另一种方式使快速冲水和快速排放组合槽,工作的时候,首先由置于槽上方的“花洒”型喷嘴,开始对清洗产品进行高压冲水,满槽后,槽底快速排放阀门打开,将水在3-5秒钟内排空,起到排放“冲击”效应,一个冲水加上一个快速排放构成一个清洗循环,清洗过程可以由若干清洗循环组成,最终达到清洗效果,虽然清洗效率高,效果优于溢流槽;但上述两种方法,最终都是将清洗用水,作为废水排放掉,尤其在清洗的后半程,清洗后“废水”的水质几乎与进水相同,作为废水排放,造成资源浪费,增加了生产成本。

发明内容

针对上述不足,本发明的目的是提供一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽,不仅可实现高效、快速清洗,增强清洗半导体晶圆的效果,且可降低水资源的浪费。

本发明提供了如下的技术方案:

一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽,包括清洗槽,所述清洗槽的下侧设有进水管和进气管,所述清洗槽的上方设有喷淋装置,所述清洗槽的上部一侧还设有循环水管,所述循环水管上设有循环水阀,所述清洗槽的底端设有排水阀。

优选的,所述进气管和所述进水管均平行排布在所述清洗槽的底部,所述进气管和所述进水管上均设有若干通孔;所述清洗槽的底部位于所述进气管上方还设有导流板,所述导流板的表面均匀设有若干通孔,且所述进气管和所述进水管的通孔与所述导流板的通孔相贯通。

优选的,所述清洗槽的上端边缘为锯齿状,所述清洗槽的上部一侧水阻槽,所述水阻槽内设有水阻测试装置,所述水阻槽与所述循环水管相接;

优选的,所述水阻槽的外部包覆有溢流槽,且所述水阻槽的上端面低于所述溢流槽的上端面,所述溢流槽的底部与所述循环水管相接,所述循环水管还连接有废水管,所述废水管上设有废水阀。

优选的,所述溢流槽的底部与所述进水管相接。

优选的,所述喷淋装置包括喷淋水管,所述喷淋水管的下侧设有若干喷淋头。

本发明的有益效果:

(1)本发明可以实现高效、快速清洗,在原来的清洗方法上增加主动水波浪冲击,增强清洗效果;

(2)本发明增加水质监测功能,在生产过程中,根据废水的水质,判断是否将废水进行回收利用,如果废水水质达到回收标准,则将废水进行回收再利用,大大降低清洗用水量,达到节能降耗。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:

图1为本发明剖视图;

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