[发明专利]一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽在审
申请号: | 201810657694.4 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN108878321A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 刘芳军 | 申请(专利权)人: | 扬州思普尔科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 | 代理人: | 黄胡生 |
地址: | 225000 江苏省扬州市高新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗槽 半导体晶圆 清洗 循环水管 冲水槽 节能 快速清洗 喷淋装置 循环水阀 进气管 进水管 排水阀 底端 半导体 水资源 | ||
本发明提供一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽,具体涉及半导体生产领域,包括清洗槽,所述清洗槽的下侧设有进水管和进气管,所述清洗槽的上方设有喷淋装置,所述清洗槽的上部一侧还设有循环水管,所述循环水管上设有循环水阀,所述清洗槽的底端设有排水阀。本发明不仅可实现高效、快速清洗,增强清洗半导体晶圆的效果,且可降低水资源的浪费。
技术领域
本发明属于半导体生产领域,具体涉及一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。
半导体晶圆的清洗,冲水槽主要有两种,其中一种是溢流槽,普遍为量级溢流,清洗用纯水从一级溢流槽底部进入,满槽后经过高低设计的隔板,溢流进入二级槽内,二级槽满后溢流排出,清洗产品首先放在二级槽内一段时间,然后再移入一级槽内静置一段时间,取出后即清洗完毕,清洗主要靠水的流动带走晶圆表面的沾污物,虽然此类结构简单,但是清洗时间长,清洗效果不理想;
另一种方式使快速冲水和快速排放组合槽,工作的时候,首先由置于槽上方的“花洒”型喷嘴,开始对清洗产品进行高压冲水,满槽后,槽底快速排放阀门打开,将水在3-5秒钟内排空,起到排放“冲击”效应,一个冲水加上一个快速排放构成一个清洗循环,清洗过程可以由若干清洗循环组成,最终达到清洗效果,虽然清洗效率高,效果优于溢流槽;但上述两种方法,最终都是将清洗用水,作为废水排放掉,尤其在清洗的后半程,清洗后“废水”的水质几乎与进水相同,作为废水排放,造成资源浪费,增加了生产成本。
发明内容
针对上述不足,本发明的目的是提供一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽,不仅可实现高效、快速清洗,增强清洗半导体晶圆的效果,且可降低水资源的浪费。
本发明提供了如下的技术方案:
一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽,包括清洗槽,所述清洗槽的下侧设有进水管和进气管,所述清洗槽的上方设有喷淋装置,所述清洗槽的上部一侧还设有循环水管,所述循环水管上设有循环水阀,所述清洗槽的底端设有排水阀。
优选的,所述进气管和所述进水管均平行排布在所述清洗槽的底部,所述进气管和所述进水管上均设有若干通孔;所述清洗槽的底部位于所述进气管上方还设有导流板,所述导流板的表面均匀设有若干通孔,且所述进气管和所述进水管的通孔与所述导流板的通孔相贯通。
优选的,所述清洗槽的上端边缘为锯齿状,所述清洗槽的上部一侧水阻槽,所述水阻槽内设有水阻测试装置,所述水阻槽与所述循环水管相接;
优选的,所述水阻槽的外部包覆有溢流槽,且所述水阻槽的上端面低于所述溢流槽的上端面,所述溢流槽的底部与所述循环水管相接,所述循环水管还连接有废水管,所述废水管上设有废水阀。
优选的,所述溢流槽的底部与所述进水管相接。
优选的,所述喷淋装置包括喷淋水管,所述喷淋水管的下侧设有若干喷淋头。
本发明的有益效果:
(1)本发明可以实现高效、快速清洗,在原来的清洗方法上增加主动水波浪冲击,增强清洗效果;
(2)本发明增加水质监测功能,在生产过程中,根据废水的水质,判断是否将废水进行回收利用,如果废水水质达到回收标准,则将废水进行回收再利用,大大降低清洗用水量,达到节能降耗。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明剖视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造