[发明专利]一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管

权利要求书

1.一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管，包括源极、漏极，漏场板、栅极、栅介质层、钝化层、势垒层、沟道层、低浓度陷阱掺杂缓冲层、P型埋层、高浓度陷阱掺杂缓冲层；其特征在于：从上到下依次为钝化层、势垒层、沟道层、低浓度陷阱掺杂缓冲层和高浓度陷阱掺杂缓冲层；所述的源极与钝化层、势垒层、沟道层、P型埋层连接，漏极与钝化层、势垒层、沟道层连接，栅介质层底部与低浓度陷阱掺杂缓冲层接触，侧部与钝化层、势垒层、沟道层接触，栅极置于栅介质层上，所述P型埋层位于低浓度陷阱掺杂缓冲层中，厚度为T_PBL，长度为L_d，距离沟道层与低浓度陷阱掺杂缓冲层之间的界面的距离为T_S；所述漏场板位于钝化层上并向栅极方向延伸，且与漏极连接，长度为L_dfp；所述低浓度陷阱掺杂缓冲层掺杂杂质为C或Fe，掺杂浓度范围为1×10¹⁶—2×10¹⁷ cm^-3，厚度为T_b；所述高浓度陷阱掺杂缓冲层，位于低浓度陷阱掺杂缓冲层下方，掺杂杂质为C或Fe，掺杂浓度范围为5×10¹⁷—1×10¹⁹ cm^-3，长度为L_ds；所述漏极与栅极距离为L_gd，范围0—20 μm；P型埋层长度范围为0 μmL_d≤L_ds，厚度范围为0 μm T_PBLT_b，距离沟道层与低浓度陷阱掺杂缓冲层之间界面的距离范围为0 μm T_sT_b- T_PBL；所述漏场板长度范围为0 μm L_dfp 3μm。

2.根据权利要求1所述一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管，特征在于：P型埋层掺杂浓度范围为1×10¹⁶—1×10¹⁹ cm^-3。