[发明专利]一种具有L形垂直场板的LDMOS晶体管

权利要求书

1.一种具有L形垂直场板的LDMOS晶体管，包括衬底层、硅膜层和器件顶层，其特征在于：所述的衬底层在最底部，呈凹形；衬底层为P型掺杂的硅材料；硅膜层位于衬底层上方，包括源区、硅体、漂移区、漏区、氧化槽和L形垂直场板；漂移区设置在衬底层围成的凹形区域内；硅体和漏区位于衬底层两端，硅体呈凹形，源区设置在硅体的凹形区域内；硅体内侧面与漂移区和衬底层的侧部交界面对齐，外侧面与衬底层外侧面对齐；漏区内侧面与漂移区和氧化槽的侧部交界面对齐，外侧面与衬底层外侧面对齐；漂移区呈凹形，氧化槽设置在漂移区围成的凹形区域内；氧化槽设有L形槽，L形槽包括竖直槽和水平槽；竖直槽开口于氧化槽的顶部；水平槽朝向漏区设置；L形垂直场板设置在氧化槽的L形槽中，L形垂直场板顶部伸出氧化槽外；源区顶面、硅体顶面、漂移区靠近硅体一侧的顶面、氧化槽顶面以及漏区顶面对齐设置；氧化槽采用二氧化硅材料，源区、硅体、漂移区、漏区和L形垂直场板都为硅材料；器件沟道由源区和漂移区之间的硅体提供；硅体掺杂类型为P型；漂移区掺杂类型为N型；源区和漏区的掺杂类型为N型，L形垂直场板的硅材料不进行掺杂；器件顶层包括栅氧化层、源电极、栅电极和漏电极；栅氧化层位于沟道上方，且与L形垂直场板接触；栅氧化层采用二氧化硅材料；栅氧化层被栅电极全部覆盖；源电极位于源区上方，且与栅氧化层之间设有间距；漏电极位于漏区上方，且与氧化槽在长度方向上设有间距；

所述的衬底层长16μm，掺杂浓度为4×10¹⁴cm^-3；源区的长度为1.5μm，漏区的长度为1μm，源区和漏区掺杂浓度均为1×10²⁰cm^-3；硅体长度为3.5μm，掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3；沟道长度为1.5μm；栅氧化层厚度为0.04μm；氧化槽的厚度为25μm；L形垂直场板的厚度为0.1μm；漂移区的厚度为0.5μm；漂移区的长度11.1μm，漂移区的掺杂浓度为3.1×10¹⁶cm^-3；L形垂直场板的竖直板朝向源区的边界与氧化槽朝向源区的边界在长度方向上的距离为1.5μm；L形垂直场板的水平板朝向漏区的边界与氧化槽朝向漏区的边界在长度方向上的距离为3μm；L形垂直场板底部与氧化槽底部在厚度方向上的距离为3.5μm；L形垂直场板的垂直板朝向漏区的边界与漏区朝向源区的边界在长度方向上的距离为8.5μm。

2.根据权利要求1所述的一种具有L形垂直场板的LDMOS晶体管，其特征在于：所述的衬底和源电极都接地。