[发明专利]一种复合薄膜

说明书

本发明的具有低温制备、高导电性、高透光性的薄型化复合薄膜结构，设置于光电元件的基材及至少一个金属电极之间，其特征在于：该薄膜结构具有第一透明层、导电层及第二透明层。该第一透明层为半导体透明导电薄膜，沉积在该基材的一侧面；该导电层为纳米级的导电薄膜，沉积在该第一透明层的一侧面，第二透明层为氧化物透明导电薄膜，沉积在该导电层的一侧面。

技术领域

本发明关于一种透明导电薄膜，具有薄型化三层复合结构，于低温制备完成，并具有高导电性及高穿透率的复合薄膜结构。

背景技术

一般常见的光电元件如发光二极体(LED)、平面显示器(FPD)、太阳能电池、触摸式面板屏幕及电子书等，其内部是具有透明的导电薄膜作为传导桥梁，是不可或缺的结构。该导电薄膜必须同时具备良好的导电特性与光穿透度。

一般透明导电薄膜分为两种，第一种是金属薄膜，当金属厚度约10nm时，金属薄膜会具有透光性，但实际上大部分的金属在沉积成厚度约10nm时，需要良好的工艺控制，避免形成岛状不连续薄膜，同时，金属薄膜对于所使用环境较为敏感，如温度、湿度以及氧化等，均可能造成金属薄膜物化性质产生质变而影响元件效果。第二种是氧化物透明导电薄膜，可以稳定保有其光电物理性质，但氧化物透明导电薄膜的导电性相较金属薄膜较差，需增加其厚度来达到优异的导电特性，对光的穿透度就会降低。

发明内容

为解决上述问题，提出一种半导体-金属-半导体的复合薄膜结构，此结构可以薄化透明导电薄膜厚度且不形成岛状不连续薄膜，仍具有高导电性以及高光穿透率。

为达上述目的，本发明的具有低温制备、高导电性、高透光性的薄型化复合薄膜结构，设置于光电元件的基材及至少一个金属电极之间，其特征在于：该薄膜结构具有第一透明层、导电层及第二透明层。该第一透明层为半导体透明导电薄膜，沉积在该基材的一侧面；该导电层为纳米级的导电薄膜，沉积在该第一透明层的一侧面，第二透明层为氧化物透明导电薄膜，沉积在该导电层的一侧面。

其中，该第一透明层与第二透明层通过物理或化学沉积方式形成，且该第一透明层和该第二透明层的材质皆为氧化物透明导电薄膜，氧化物透明导电薄膜为氧化铟和氧化锌，其组成是为Ga_xTi_yZn_1-x-yO，且0<x<1，0<y<1，1-x-y>0，而该第一透明层的厚度与第二透明层的厚度总和为70-140纳米。

该导电层的材质是通过物理或化学沉积方式形成薄化金属或石墨烯薄膜，薄化金属是具有高导电系数的金属，如金、银、铜、钛、铝、钨或其合金等。该导电层厚度是介于10-25纳米。

本发明提供的一种于低温下制备的具有高导电性及高穿透率的薄型化复合薄膜。其应用于光电元件内，具有高导电性及兼具高透光度等物理特性，且于低温下制备此复合结构，使所应用的光电元件可达到更佳的运作效率。

附图说明

为了清楚了解本发明的内容，参考以下附图。

图1是实施例的剖面示意图。

图2是实施例在未经高温热处理的导电层的各厚度针对电阻测试的曲线图。

图3是实施例的光穿透率测量图。

具体实施方式