[发明专利]一种OLED显示面板及其像素排列结构有效
| 申请号: | 201810652154.7 | 申请日: | 2018-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN108962944B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
| 发明(设计)人: | 李豪凯 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 像素 排列 结构 | ||
本发明提供一种OLED显示面板及其像素排列结构,其中,像素排列结构包括:由多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素形成多个重复排列的虚拟n边形,n为大于或等于4的偶数;第三子像素设置在虚拟n边形的内部,且每个虚拟n边形的内部设有n/2个第三子像素;第一子像素与第三子像素间隔开,并具有在虚拟n边形的第一顶点处的中心;第二子像素与第一子像素和第三子像素间隔开,并具有在虚拟八边形的第二顶点处的中心。本发明可以减少子像素数量,并且使每个基本像素单元所占空间面积较小;第三子像素位于虚拟n边形中央,可以共用一个FMM开口,降低了蒸镀难度。
技术领域
本发明涉及屏幕显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其像素排列结构。
背景技术
有机发光二极管OLED (Organic light-emitting Diode) 通过有机层自主发光显示,由于不需要背光源,因此具有更快的响应时间,更大的可视角度,更高的对比度以及更轻的元器件质量,低功耗等特点,是目前公认的最有潜力的平板显示技术。
为了使OLED面板达到更高的解析度,在目前的制程技术水平下,只能采用子像素渲染的方法来实现。子像素渲染技术主要是通过借用相邻像素的R、G、B子像素实现正常的显示。由于R、G、B三种子像素的发光材料自身的特性,B子像素的衰减速度要快于另外两种,同时由于G的亮度最高,为了正常显示,在蒸镀材料时,B子像素的面积要最大,G子像素的面积最小,这就增加了G子像素制作的难度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种OLED显示面板及其像素排列结构,在保持面板高分辨率的同时减小制作难度。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种像素排列结构,包括多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素,所述多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素形成多个重复排列的虚拟n边形,n为大于或等于4的偶数;
所述第三子像素设置在所述虚拟八边形的内部,且每个虚拟n边形的内部设有n/2个第三子像素;
所述第一子像素与所述第三子像素间隔开,并具有在所述虚拟n边形的第一顶点处的中心;
所述第二子像素与所述第一子像素和第三子像素间隔开,并具有在所述虚拟n边形的第二顶点处的中心。
其中,所述第一子像素和所述第二子像素交替分布在所述虚拟n边形的各顶点上,与所述第一子像素相邻顶点处均为所述第二子像素,与所述第二子像素相邻顶点处均为所述第一子像素。
其中,所述虚拟n边形中第一子像素、第二子像素、第三子像素的数量比为1:1:1。
其中,所述虚拟n边形为正n边形或者为具有在其中心相交的两条正交对称轴的非等边n边形。
其中,所述虚拟n边形为虚拟八边形,其内部设有四个第三子像素,所述四个第三子像素以所述虚拟八边形的中心呈中心对称排列。
其中,以所述虚拟八边形的中心为原点建立正交坐标系,位于每一象限的第一子像素、第二子像素和第三子像素构成一基本像素单元,所述基本像素单元包括1/2个第一子像素、1/2个第二子像素和1个第三子像素。
其中,相邻两个所述虚拟八边形具有一共同边,并且以共同边为对称轴相互对称排列。
其中,每两个所述第一子像素和每两个所述第二子像素交替分布在所述虚拟八边形的各顶点上。
其中,所述虚拟n边形为虚拟六边形,其内部设有三个第三子像素,所述三个第三子像素分成上下两行排列。
其中,位于上面一行的两个第三子像素分别与相邻的第一子像素和第二子像素构成一基本像素单元,所述基本像素单元包括1/2个第一子像素、1/2个第二子像素和1个第三子像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





