[发明专利]LDMOS器件及其形成方法

说明书

一种LDMOS器件及其形成方法，所述LDMOS器件包括：衬底，所述衬底包括漂移区；场氧化层，位于所述漂移区的衬底上；栅极结构，包括覆盖部分所述场氧化层和衬底的栅电极，以及与所述栅电极相邻的场极板，栅电极的延伸方向为第一方向，在衬底投影面上与所述第一方向垂直的为第二方向，所述场极板在所述第一方向和第二方向均包括多个伪栅结构，所述伪栅结构位于所述场氧化层上；漏区，位于所述场极板一侧的漂移区中；源区，位于所述栅电极一侧的衬底中。本发明所述LDMOS器件的场极板包括多个伪栅结构，伪栅结构之间留有空隙，可以降低靠近漏端一侧的场极板与漂移区之间电场强度，优化LDMOS器件的电学性能。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种LDMOS器件及其形成方法。

背景技术

横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS，Lateral Double-Diffused MOSFET)主要应用于功率集成电路，例如面向移动电话基站的射频功率放大器，也可以应用于高频(HF)、特高频(VHF)与超高频(UHF)广播传输器以及微波雷达与导航系统等。LDMOS技术为新一代基站放大器带来较高的功率峰均比、更高增益与线性度，同时为多媒体服务带来更高的数据传输率。

横向双扩散场效应管(LDMOS)中，在位于漂移区的场氧化层底部得到均匀电场是这类器件的关键，该电场受到漂移区的长度、场氧化层上表面场极板的轮廓形状、以及场氧化层的边缘轮廓的影响。

现有的横向双扩散场效应管(LDMOS)的电学性能有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种LDMOS器件及其形成方法，优化双扩散场效应管(LDMOS)的电学性能。

为解决上述问题，本发明提供一种LDMOS器件，包括：衬底，所述衬底包括漂移区；场氧化层，位于所述漂移区的衬底上；栅极结构，包括覆盖部分所述场氧化层和衬底的栅电极，以及与所述栅电极相邻的场极板，栅电极的延伸方向为第一方向，在衬底投影面上与所述第一方向垂直的为第二方向，所述场极板在所述第一方向和第二方向均包括多个伪栅结构，所述伪栅结构位于所述场氧化层上；漏区，位于所述场极板一侧的漂移区中；源区，位于所述栅电极一侧的衬底中。

可选的，所述第一方向的多个伪栅结构等间隔排列；第二方向的多个伪栅结构之间等间隔排列。

可选的，所述多个伪栅结构在衬底投影面上呈矩阵式排布。

可选的，第一方向为列向，第二方向为行方向，相邻列的伪栅结构错位排布。

可选的，在衬底投影面上，所述伪栅结构的形状为矩形。

可选的，在衬底投影面上，所述伪栅结构的形状为等腰三角形，相邻列伪栅结构构成伪栅组，包括第一列伪栅和第二列伪栅，第一列伪栅的等腰三角形与第二列伪栅的等腰三角形顶角相对且相互嵌入。

可选的，所述栅电极与所述伪栅结构材料相同。

可选的，所述栅电极与所述伪栅结构的材料为多晶硅。

可选的，所述伪栅结构通过插塞连接于地端。

相应的，本发明还提供一种LDMOS器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成漂移区；在所述漂移区衬底上形成场氧化层；形成栅极结构，所述栅极结构包括部分所述场氧化层和衬底上的栅电极，以及与所述栅极结构相邻的场极板，所述场极板包括多个伪栅结构，所述伪栅结构位于所述场氧化层上；在所述场极板一侧的漂移区中形成漏区；在所述栅电极一侧的衬底中形成源区。

可选的，在形成所述栅电极的过程中形成所述场极板。