[发明专利]铁电存储器件

说明书

一种铁电存储器件包括：衬底，其中具有源电极和漏电极；第一界面电介质层，其包括设置在源电极与漏电极之间的衬底上的反铁电材料；铁电栅电介质层，其包括设置在第一界面电介质层上的铁电材料；以及栅电极，其设置在铁电栅电介质层上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月27日提交的申请号为10-2017-0081465的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及铁电存储器件。

背景技术

通常，铁电材料在没有外部电场的情况下可以具有自发极化。具体而言，铁电材料可以保持两种不同的剩余极化状态中的任意一种。剩余极化状态可以通过施加到铁电材料的电场来控制或改变。

铁电材料的剩余极化状态可以根据施加到铁电材料的电场而变化。因此，利用铁电材料的极化特性将铁电材料应用于非易失性存储器上成为重点。即，铁电材料作为在非易失性存储单元(其储存与逻辑“0”和逻辑“1”相对应的数据)中采用的材料的候选者是有吸引力的。

发明内容

根据一个实施例，提供了一种铁电存储器件。铁电存储器件可以包括：衬底，其中具有源电极和漏电极；第一界面电介质层，其包括设置在源电极与漏电极之间的衬底上的反铁电材料；铁电栅电介质层，其包括设置在第一界面电介质层上的铁电材料；以及栅电极，其设置在铁电栅电介质层上。

根据另一个实施例，提供了一种铁电存储器件。铁电存储器件可以包括半导体衬底；绝缘层，其设置在半导体衬底上；第一界面电介质层，其包括设置在绝缘层上的反铁电材料；铁电栅电介质层，其包括设置在第一界面电介质层上的铁电材料；以及栅电极，其设置在铁电栅电介质层上。第一界面电介质层具有比绝缘层的介电常数更高的介电常数，并且界面电介质层的晶格常数与铁电栅电介质层的晶格常数基本相同。

附图说明

图1是示意性地示出根据本公开的一个实施例的铁电存储器件的截面图。

图2A是示出根据本公开的一个实施例的铁电存储器件中采用的铁电材料的极化滞回曲线的图表。

图2B是示出根据本公开的一个实施例的铁电存储器件中采用的反铁电材料的极化滞回曲线的图表。

图3A是根据本公开的比较示例的铁电存储器件中采用的MOS结构的能带图。

图3B是根据本公开的一个实施例的铁电存储器件中采用的MOS结构的能带图。

图4是示出根据本公开的另一个实施例的铁电存储器件的截面图。

图5是示出根据本公开的又一实施例的铁电存储器件的截面图。

图6是示出根据本公开的又一实施例的铁电存储器件的截面图。

具体实施方式

现在将参考附图在下文中更全面地描述本公开的各种实施例。在附图中，为了图示清楚，组件(例如，层或区域)的尺寸(例如，宽度或厚度)可以被夸大。应该理解，当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接“在”另一个元件“上”，或者也可以存在中间元件。在附图中，相同的附图标记始终指代相同的元件。