[发明专利]一种适用于大功率逆变器的IGBT模块驱动电路

权利要求书

1.一种适用于大功率逆变器的IGBT模块驱动电路，包括全桥DC/DC驱动电源电路、一个光耦隔离电路、推挽功率放大电路、IGBT过流检测电路、欠压和故障保护电路，全桥DC/DC驱动电源电路包括变压器，光耦隔离电路与推挽功率放大电路、欠压和故障保护电路连接，推挽功率放大电路与IGBT驱动电路、IGBT过流检测电路连接，IGBT过流检测电路与并联IGBT驱动电路连接,其特征在于：还包括IGBT栅极过压保护电路、并联IGBT栅极驱动电路，所述并联IGBT栅极驱动电路与IGBT栅极过压保护电路连接，还设置有变压器反馈过流信号电路，变压器反馈过流信号电路包括变压器输出反馈电路和变压器输入识别电路，变压器输出反馈电路采样过流信号并反馈给变压器的输入，变压器输入识别电路与欠压和故障保护电路连接，识别过流故障或电源电压欠压故障并通过光耦隔离电路、推挽功率放大电路关闭IGBT驱动电路。

2.根据权利要求1所述的IGBT模块驱动电路，其特征在于：所述变压器输出反馈电路包括电阻五、三极管五、二极管四、电阻十二，二极管四正极接变压器输出正极，二极管四负极接三极管五集电极，三极管五发射极接变压器输出负极，变压器输出负极接驱动地，三极管五基极接电阻五一端，电阻五另一端接电阻十二一端和IGBT过流检测电路，电阻十二另一端接驱动地。

3.根据权利要求1或2所述的IGBT模块驱动电路，其特征在于：所述变压器输入识别电路包括二极管一、电容一、电阻一、齐纳二极管一，二极管一正极接变压器输入一端，二极管一负极接电容一的一端、电阻一的一端、齐纳二极管一负极，齐纳二极管一正极接欠压和故障保护电路，电容一另一端、电阻一另一端和电阻二一端连接在一起并接数字地。

4.根据权利要求1或2所述的IGBT模块驱动电路，其特征在于：所述IGBT过流检测电路包括高压二极管六、电阻十、电阻九、电容四、齐纳二极管二、二极管五、电阻六、三极管七，高压二极管六负极接IGBT驱动电路，高压二极管六正极接电阻九的一端，电阻九另一端分别接齐纳二极管二负极、电容四的一端、电阻十的一端，电阻十另一端接驱动电源输出正极，齐纳二极管二正极接变压器输出反馈电路、三极管七发射极，三极管七集电极、电容四另一端接驱动地，三极管七基极接电阻六的一端，电阻六的另一端接二极管五正极，二极管五负极接推挽功率放大电路的输入。

5.根据权利要求1或2所述的IGBT模块驱动电路，其特征在于：所述欠压和故障保护电路包括电阻二、电阻三、三极管六、二极管七、电阻十一、三极管十，电阻三的一端、电阻十一的一端分别接输入电源，电阻三另一端分别接三极管十基极、三极管六集电极，三极管六发射极、三极管十发射极、电阻二的一端均接数字地，三极管六基极与电阻二的另一端、变压器输入识别电路连接，电阻十一另一端分别接三极管十集电极、二极管七负极，二极管七正极接光耦隔离电路。

6.根据权利要求1所述的IGBT栅极驱动电路，其特征在于：所述并联IGBT栅极驱动电路包括电阻七、电阻八、电阻十三、电阻十六、电阻十七、电阻十八，电阻七一端与驱动推挽短路输出连接，电阻七另一端分别接电阻八一端、功率半导体一的栅极，电阻八另一端接电阻十三一端并接入数字地，电阻十三另一端接功率半导体开关器件一的发射极；同理，并联的另一路栅极驱动电路中,电阻十六一端与驱动推挽短路输出连接，电阻十六另一端分别接电阻十七一端、功率半导体二的栅极，电阻十七另一端接电阻十八一端并接入数字地，电阻十八另一端接功率半导体开关器件二的发射极。

7.根据权利要求1所述的IGBT模块驱动电路，其特征在于：所述IGBT栅极过压保护电路包括二极管八、二极管九、二极管十、二极管十一、电阻十四、电阻十五、电阻十九、电阻二十、电容五、电容六、电容七、电容八，电阻十四的一端连接负驱动电源，另一端分别连接二极管九正级、电容六的一端，二极管九负极接入功率半导体开关器件一的栅极，电容六另一端接入功率半导体开关器件一的发射级，电阻十五的一端连接正驱动电源，另一端分别连接二极管八负级、电容五的一端，二极管八正极接入功率半导体开关器件一的栅极，电容五另一端接入功率半导体开关器件一的发射级；同理，并联的另一路栅极过压保护电路中,电阻十九一端连接负驱动电源，另一端分别连接二极管十一正级、电容八的一端，二极管十一负极接入功率半导体开关器件二的栅极，电容八另一端接入功率半导体开关器件二的发射级，电阻二十的一端连接正驱动电源，另一端分别连接二极管十负级、电容七的一端，二极管十正极接入功率半导体开关器件二的栅极，电容七另一端接入功率半导体开关器件二的发射级。