[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体处理系统

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有涂布单元、曝光单元、显影单元的光刻工具，其中所述显影单元包括用于供应显影剂的显影剂供应单元，且所述显影剂供应单元包括出气口；

在所述涂布单元中，在衬底上形成光刻胶层；

使所述光刻胶层在所述曝光单元中曝光以形成曝光光刻胶层；

通过使用由所述显影剂供应单元供应的所述显影剂使所述曝光光刻胶层显影以在所述显影单元中形成图案化光刻胶层；以及

使用排气工具将所述显影剂的氨气副产物从所述显影单元的所述显影剂供应单元通过所述出气口排放到处理工具中，其中所述排气工具包含使所述出气口与所述处理工具相连接的排气管。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述光刻胶层的材料包括正型光刻胶材料。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中所述正型光刻胶材料包括聚(4-叔-丁氧基羰氧基苯乙烯)、聚甲基丙烯酸甲酯或四氟乙烯。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中所述显影剂包括四甲基铵氢氧化物的水溶液。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，进一步包括：

实时监测所述光刻工具内的所述氨气副产物的浓度。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述处理工具位于所述光刻工具外部。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其中将所述显影剂的所述氨气副产物从所述显影单元的所述显影剂供应单元通过所述出气口排放到所述处理工具中包括：

将所述氨气副产物保留在所述处理工具中。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有涂布单元、曝光单元、显影单元的光刻工具，其中所述显影单元包括处理箱体和用于将显影剂供应到所述处理箱体的显影剂供应单元；

在所述涂布单元中，在衬底上形成光刻胶层；

使所述光刻胶层在所述曝光单元中曝光以形成曝光光刻胶层；

使用由所述显影剂供应单元供应的所述显影剂使所述曝光光刻胶层显影以在所述处理箱体中形成图案化光刻胶层；

将所述显影剂的氨气副产物从所述显影单元的所述显影剂供应单元排放到处理工具中；

将所述氨气副产物保留在所述处理工具中；以及

监测所述光刻工具内的所述氨气副产物的浓度。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述光刻胶层包括形成正型光阻光刻胶层。

10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中所述光刻胶层的材料包括聚(4-叔-丁氧基羰氧基苯乙烯)、聚甲基丙烯酸甲酯或四氟乙烯。

11.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中所述显影剂包括四甲基铵氢氧化物的水溶液。

12.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中所述氨气副产物通过排气工具排放到位于所述光刻工具外部的所述处理工具中。

13.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中保留所述氨气副产物包括在所述处理工具中提供吸附性材料以用于吸附所述氨气副产物。

14.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中监测所述氨气副产物的浓度包括使用实时氨气监测器实时监测所述氨气副产物。