[发明专利]一种钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体，其特征在于，所述钕铁硼磁体在熔炼配方中除了添加常规元素外还同时复合添加钛0.05～0.5％、锆0.05～0.5％、铌0.05～0.5％、镓0.05～0.5％四种微量元素；

所述常规元素为钕0～35％、镨0～35％、铽0～10％、镝0～15％、钬0～15％、钆0～15％、镧0～35％、铈0～35％、硼0.8～1.5％、钴0～10％、铜0～0.5％、铝0～1.5％、锡0～0.5％，其余为铁及不可避免的杂质。

2.如权利要求1所述的一种钕铁硼磁体，其特征在于，所述钛、锆、铌、镓为铁合金或纯金属。

3.一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)按配方要求称取各常规元素原料，同时复合添加钛0.05～0.5％、锆0.05～0.5％、铌0.05～0.5％、镓0.05～0.5％四种微量元素，放入感应熔炼炉内熔炼成均匀钢液后浇铸成铸片，待用；

(2)将步骤(1)所述铸片放入氢碎炉内，系统检漏正常后充入氢气，对所述铸片进行氢碎，氢碎后的粗粉装入不锈钢桶，待用；

(3)将步骤(2)氢碎后的所述粗粉添加抗氧化剂后进行搅拌，后通过气流磨制成细粉，细粉添加抗氧化剂及润滑剂搅拌后静置钝化，待用；

(4)将步骤(3)静置钝化后的所述细粉放入氮气保护下的密封成型磁场压机模具中，进行磁场取向压制成生坯并真空封装好，将封装好的生坯通过等静压加以压力，保压形成更致密的生坯；

(5)将步骤(4)等静压后的所述生坯在氮气箱内去除真空封装袋后放入石墨盆内，再置于真空烧结炉中依次进行脱脂、脱氢、高温烧结，进行一级回火，再进行两级回火，之后采用高纯氮气风冷至常温出炉，得到烧结钕铁硼磁体；

所述常规元素为钕0～35％、镨0～35％、铽0～10％、镝0～15％、钬0～15％、钆0～15％、镧0～35％、铈0～35％、硼0.8～1.5％、钴0～10％、铜0～0.5％、铝0～1.5％、锡0～0.5％，其余为铁及不可避免的杂质。

4.如权利要求3所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，进一步包括如下步骤：将按配方单比例配好的各原材料放入真空感应熔炼炉的坩埚内，抽真空至0.1～1.0 Pa的真空速凝炉中，在1350～1550℃条件下熔炼成均匀的钢液后浇铸成铸片。

5.如权利要求3所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，进一步包括如下步骤：所述铸片的脱氢温度为550～650℃，脱氢时间为6～8h，脱氢后的粗粉氢含量＜1000ppm，所述粗粉出炉后装入不锈钢桶并充高纯氮气保护，控制所述粗粉氧含量＜1000ppm。

6.如权利要求3所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，进一步包括如下步骤：所述气流磨前粗粉添加抗氧化剂0.2％，搅拌时间为1h，气流磨过程中系统补氧20～200ppm，通过气流磨制成1.5～4.0μm细粉，所述气流磨后细粉添加抗氧化剂0.2％，润滑剂0.05％和0.5％的120#汽油，搅拌3h，细粉搅拌后静置钝化8h。

7.如权利要求3所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，进一步包括如下步骤：将所述静置钝化后的细粉在低于1000ppm的氮气保护下放入成型模具中，松装密度为1.8～2.2g/cm³，预压密度为2.0～2.4g/cm³，加1.5～3.5T的磁场进行取向，取向后压制保压时间0.5～5S并退磁后为生坯生坯密度为3.8～4.3g/cm3，生坯真空封装后放入等静压机在150～350MPa下进行等静压处理，保压30～300S，等静压后生坯密度为4.0～4.5g/cm³。