[发明专利]切割带一体型粘接性片

说明书

本发明提供一种切割带一体型粘接性片，其具备在表面伴有辐射线固化性粘合剂层(22)的切割带(20)和作为粘接性片的薄膜(10)。薄膜(10)具有激光标记层(11)和粘接剂层(12)。薄膜(10)的粘接剂层(12)侧表面相对于Si晶圆在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示5N/10mm以上的剥离粘合力。固化后的粘合剂层(22)与薄膜(10)之间的前述条件的剥离试验中的第1剥离粘合力为0.15N/20mm以下。在50℃下保管9天后经固化的粘合剂层(22)与薄膜(10)之间的前述条件的剥离试验中的第2剥离粘合力与第1剥离粘合力之差为0.12N/20mm以下。

技术领域

本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割带一体型粘接性片。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，有时在对作为工件的半导体晶圆和大小与其对应的切割带一体型粘接性片进行贴合的基础上，经过该半导体晶圆的单片化而得到带有粘接性薄膜的半导体芯片。作为这样的切割带一体型粘接性片，已知有切割带一体型背面保护薄膜。

切割带一体型背面保护薄膜例如具有：包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及与该粘合剂层密合的热固性的背面保护薄膜。这样的切割带一体型背面保护薄膜例如以如下方式来使用。首先，在切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜上贴合半导体晶圆。接着，在切割带一体型背面保护薄膜上保持有半导体晶圆的状态下、通过刀片切割对该半导体晶圆的半导体芯片进行单片化(切割工序)。切割工序中，以从背面保护薄膜产生各自与半导体芯片密合的多个粘接性薄膜小片的方式，在切割带上与半导体晶圆一起切断背面保护薄膜。接着，经过清洗工序后，从切割带上拾取切割带上的带有粘接性薄膜的各半导体芯片(拾取工序)。此时，需要从切割带的粘合剂层上适宜地剥离作为拾取对象的带有粘接性薄膜的半导体芯片中的粘接性薄膜。例如以如上方式进行，在得到伴有半导体芯片背面保护用的与芯片大小相当的粘接性薄膜的半导体芯片的过程中使用切割带一体型背面保护薄膜。对于涉及这样的切割带一体型背面保护薄膜的技术，例如记载于下述专利文献1、2中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-151360号公报

专利文献2：国际公开第2014/092200号

发明内容

发明要解决的问题

对于切割带一体型背面保护薄膜中的切割带上的热固性的背面保护薄膜，以往在与半导体晶圆贴合后，为了提高相对于该晶圆的密合力而通过加热进行热固化。然而，通过背面保护薄膜的这种的热固化，背面保护薄膜相对于切割带乃至其的粘合剂层的密合力也提高。对于这样的密合力的提高，例如在上述那样的拾取工序中，有时会阻碍带有粘接性薄膜的半导体芯片的粘接性薄膜从切割带粘合剂层上的剥离，因此，有时会阻碍带有粘接性薄膜的半导体芯片的拾取。

另外，对于切割带一体型背面保护薄膜中处于未固化状态的热固性背面保护薄膜，有使用该切割带一体型背面保护薄膜前的保管期间越长、相对于切割带粘合剂层的密合力越逐渐提高的倾向。例如在上述那样的拾取工序中，这样的密合力的提高有时会阻碍带有粘接性薄膜的半导体芯片的粘接性薄膜从切割带粘合剂层上的剥离，因此，有时会阻碍带有粘接性薄膜的半导体芯片的拾取。

本发明是基于以上所述情况而想出的，其目的在于提供适于实现带有粘接性薄膜的半导体芯片从切割带上良好拾取的切割带一体型粘接性片。

用于解决问题的方案