[发明专利]陶瓷制品表面的镭射加工方法及陶瓷制品有效
| 申请号： | 201810636328.0 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN108788482B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 黄龙;胡述旭;彭云贵;邓耀锋;龙明昇;曹洪涛;吕启涛;高云峰 | 申请（专利权）人： | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/70;C04B35/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷制品 表面 镭射 加工 方法 | ||
1.一种陶瓷制品表面的镭射加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
对陶瓷制品的加工表面进行清洁；
采用超快激光器对陶瓷制品的加工表面进行镭射雕刻得到预先设计的图案：采用单脉冲方式，以800mm/s-1200mm/s的打标速度进行粗雕；采用多脉冲方式，以50mm/s-300mm/s的打标速度进行精雕；所述超快激光器为皮秒激光器，且其波长为1030nm-1064nm，脉宽为5ps-25ps，填充距离为0.005mm-0.1mm，镭射功率为10％-40％。
2.根据权利要求1所述的陶瓷制品表面的镭射加工方法，其特征在于，所述超快激光器的波长为1064nm，脉宽为15ps，填充距离为0.03mm，镭射功率为40％。
3.根据权利要求1所述的陶瓷制品表面的镭射加工方法，其特征在于，所述超快激光器的波长为1030nm，脉宽为20ps，填充距离为0.005mm，镭射功率为25％。
4.根据权利要求1所述的陶瓷制品表面的镭射加工方法，其特征在于，所述超快激光器的波长为1045nm，脉宽为25ps，填充距离为0.08mm，镭射功率为28％。
5.根据权利要求1所述的陶瓷制品表面的镭射加工方法，其特征在于，所述超快激光器的波长为1030nm，脉宽为5ps，填充距离为0.1mm，镭射功率为10％。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的陶瓷制品表面的镭射加工方法，其特征在于，所述超快激光器的重复频率为50KHZ-1000KHZ。
7.根据权利要求1-5任意一项所述的陶瓷制品表面的镭射加工方法，其特征在于，所述对陶瓷制品的加工表面进行清洁包括将陶瓷制品的加工表面用去离子水或酒精擦拭干净后风干的步骤。
8.一种陶瓷制品，其特征在于，由权利要求1-7任意一项所述的陶瓷制品表面的镭射加工方法进行表面处理后得到。
9.根据权利要求8所述的陶瓷制品，其特征在于，所述陶瓷制品由氧化锆陶瓷、氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷或碳化硅陶瓷制成。
10.根据权利要求9所述的陶瓷制品，其特征在于，所述陶瓷制品加工表面上图案的加工深度为3.1um-7.8um。
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