[发明专利]一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法及产品

权利要求书

1.一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、种子层制备：在石英晶体微天平上沉积一层Cu种子层，用于后续生长超亲水纳米线作为湿敏层材料，所述Cu种子层的沉积厚度为5μm；

S2、湿敏层制备：将沉积有所述Cu种子层的石英晶体微天平置于NaOH和(NH₄)₂S₂O₄的混合溶液中，以在所述Cu种子层上生长超亲水Cu(OH)₂纳米线，从而获得石英晶体微天平湿度传感器件，其中，所述NaOH和(NH₄)₂S₂O₄的摩尔质量浓度配比为50:1～5:1，所述超亲水Cu(OH)₂纳米线的生长时间为0.5～60min；

空间网状结构的所述超亲水Cu(OH)₂纳米线具有丰富的毛细管道，可充分吸附水分子和迅速解吸水分子，可有效地根据环境湿度改变湿度传感器晶振片的频率，从而获得具有高响应性的湿度传感器，所形成的湿度传感器响应速度小于1s。

2.根据权利要求1所述的一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，步骤S1中采用磁控溅射的方式对石英晶体微天平进行所述Cu种子层的沉积。

3.根据权利要求1所述的一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述Cu种子层为单面或双面。

4.根据权利要求2所述的一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射为直流模式或射频模式，功率为50W～500W。

5.根据权利要求2所述的一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的真空度为0.1Pa～3Pa。

6.根据权利要求1所述的一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述NaOH和(NH₄)₂S₂O₄的摩尔质量浓度配比为25:1。

7.一种石英晶体微天平湿度传感器，其特征在于，采用如权利要求1-6中任一项所述的一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法制得。

8.根据权利要求7所述的一种石英晶体微天平湿度传感器，其特征在于，包括石英晶体微天平、设于所述石英晶体微天平正面和/或反面的种子层以及生长于所述种子层上的纳米线。