[发明专利]电压电平移位电路在审
| 申请号: | 201810628639.2 | 申请日: | 2018-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN110620578A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
| 发明(设计)人: | 徐薪承;曹太和;林柏青 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H03K19/0175 |
| 代理公司: | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁丽超;田喜庆 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 输出电压 参考电压 控制电路 上拉电路 下拉电路 第二控制信号 第一控制信号 反相 上拉 下拉 电压电平移位电路 接收输入 | ||
一种电压电平移位电路,包含:第一与第二控制电路、第一与第二下拉电路、第一与第二上拉电路。第一控制电路接收输入电压并产生第一控制信号。第一下拉电路根据第一控制信号判断是否将第一输出电压下拉至第一参考电压。第一上拉电路根据第一反相输出电压判断是否将第一输出电压上拉至一第二参考电压。第二控制电路根据第一输出电压产生第二控制信号。第二下拉电路根据第二控制信号判断是否将第二输出电压下拉至第二参考电压。第二上拉电路根据第二反相输出电压判断是否将第二输出电压上拉至一第三参考电压,第三参考电压大于第二参考电压。
技术领域
本发明属于电子电路领域,尤指一种电压电平移位电路。
背景技术
随着互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)技术的快速发展,晶体管的尺寸持续地被缩小以减少晶片面积,从而增加操作速度以及节省功耗。然而,随着晶体管尺寸持续地被缩小,栅极氧化层和晶体管通道也持续缩小,晶体管电极(栅极、漏极、源极与基极)任两端的最大可允许跨压随之减少。若一晶体管的任两端点电压差大于额定电压(nominal voltage),该晶体管将会受损。目前先进CMOS制程的额定电压越来越低,因此传统的CMOS电压电平移位器(level shifter)电路面临高电源电压高于额定电压导致晶体管受损的问题。
发明内容
本发明的目的之一在于提出一种电压电平移位电路以解决上述问题。
根据本发明的一实施例,公开一种电压电平移位电路。该电压电平移位电路包含:一输入端、一第一输出端、第一反相输出端、一第二输出端、一第二反相输出端、一第一控制电路、一第二控制电路、一第一下拉电路、一第二下拉电路、一第一上拉电路以及一第二上拉电路。该第一控制电路自该输入端接收一输入电压并产生一第一控制信号。该第一下拉电路耦接至该第一控制电路,并根据该第一控制信号判断是否将该第一输出端上的一第一输出电压的一电压电平下拉至一第一参考电压。该第一上拉电路耦接至该第一下拉电路,并根据该第一反相输出端上的一第一反相输出电压判断是否将该第一输出端上的该第一输出电压上拉至一第二参考电压,该第二参考电压大于该第一参考电压。该第二控制电路耦接至该第一输出端,并至少根据该第一输出电压产生一第二控制信号。该第二下拉电路耦接至该第二控制电路,并根据该第二控制信号判断是否将该第二输出端上的一第二输出电压的一电压电平下拉至该第二参考电压。该第二上拉电路耦接至该第二下拉电路,并根据该第二反相输出端上的一第二反相输出电压判断是否将该第二输出端上的该第二输出电压上拉至一第三参考电压,该第三参考电压大于该第二参考电压。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的一电压电平移位电路的示意图。
图2是根据图1所示的电压电平移位电路中第一部分电路的示意图。
图3是根据图1所示的电压电平移位电路中第二部分电路的示意图。
图4是根据本发明一实施例的图3中第二部分电路的示意图。
图5是根据本发明一实施例的电压电平移位电路中第一部分电路的操作示意图。
图6是根据本发明另一实施例的电压电平移位电路中第一部分电路的操作示意图。
图7是根据本发明一实施例的电压电平移位电路中第二部分电路的操作示意图。
图8是根据本发明一实施例的电压电平移位电路中第二部分电路的操作示意图。
具体实施方式
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