[发明专利]一种硒整流片制备工艺

说明书

本发明公开了一种硒整流片制备工艺。其硒整流片是通过切片、洗片、喷砂、烘干、蒸发铋、硒制备、蒸发硒、回蒸片、预赋能、冲剪、熔合金、喷合金、联片、主赋能、倒角、冲击、电赋能、冲击、筛片、反向测量、成检包装和入库储存工艺制备而成。由于本发明利用半导体硒作为主要材料，采用特殊工艺过程将硒涂敷在整流片上，形成硒片半导体元件，增强了整流及过载保护，延长了半导体元件寿命，从而达到节能降耗的目的。

技术领域：

本发明涉及广泛用于工业电子电气系统整流及过载保护的一种硒整流片制备工艺。

背景技术：

硒具有光敏性和半导体性，在电子工业中常被用来制造光电池、感光器、激光器件、红外控制器、光电管、光敏电阻、光学仪器、光度计、整流器等。硒在电子工业领域的应用约占总需求的30％。硒的重要特征是具有典型的半导体性质，可用于无线电波的检波和整流，硒整流器具有耐负荷，耐高温，电稳定性好等特点。

硒整流片是硒堆、电涌吸收器、半导体整流元件的核心零件，其功能、性能取决于原材料质量和工艺制备过程。而目前整流片加硒工艺制备过程还十分不成熟，将硒涂敷在整流片上工艺过于简单，因而致使半导体元件整流及过载保护过低，从而缩短了半导体元件寿命。

发明内容：

本发明所要解决的技术问题是提供了利用半导体硒作为主要材料，采用特殊工艺过程将硒涂敷在整流片上，形成硒片半导体元件，增强了整流及过载保护，延长了半导体元件寿命，达到节能降耗的一种硒整流片制备工艺。

本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种硒整流片制备工艺的硒整流片是通过切片、洗片、喷砂、烘干、蒸发铋、硒制备、蒸发硒、回蒸片、预赋能、冲剪、熔合金、喷合金、联片、主赋能、倒角、冲击、电赋能、冲击、筛片、反向测量、成检包装和入库储存工艺制备而成，其具体工艺制备过程为：

(1)所述的切片：是将大张铝板切成0.8mm×1015mm×2040mm尺寸，切料过程中严禁划伤表面，铝板表面有氧化层不可剪切，大铝板在剪切前如有机械硬伤不可剪切；

(2)所述的洗片：首先用汽油擦洗铝板表面油污，然后用碱水再擦洗铝板表面油污，擦洗好的铝板表面应光亮、无脏物，铝板划伤面积≥10mm²，应剔除，不允许流入下道工序；

(3)所述的喷砂：其操作过程为：首先接通除尘器电源，把石英砂倒入舱内，每班次加砂60kg，应在全班工作时间内分4次加入，每次约15kg，不得一次倒入，然后检查喷嘴，接通喷砂机联动机构电源，打开压缩空气阀门再将气压稳定在68.647～88.620KPa范围内，即可喷砂；喷砂后的铝板导入喷砂轮再取下，最后鉴定表面，铝板喷砂后应为浅灰色，表面不得有严重的黑痕和光点，如有亮光需39.227～88.260KPa气压重喷一次；

(4)所述的烘干：其操作过程为：把铝板垂直装入烘干车，打开总开关和打开鼓风机，接通加热12KW全部开关。将装有铝板的烘干车推进炉中，工作前炉子先预热，关上炉门，15分钟内把炉温加热到175±5℃，保温2h，到达温度后，以4KW或2KW适当加热，进行恒温，烘干完毕后，断开加热开关，关闭鼓风机，断开总开关，拉出装片车；烘过的铝板自然冷却10～15分钟，放入装片车，与蒸发铋间隔时间≤4h，超过4h应放烘炉中保存，存片时间超过24h，应以100～ 120℃再次烘干30分钟；

(5)所述的蒸发铋：其操作过程为：打开铋锅通气阀门，落下真空锅，并插上安全销，把装好铝板≤20张的框子，堆放在储存架上，加上盖板，挂上撑焊块，把小铋锅按号放入炉中，每锅铋重45g±1g；