[发明专利]量子级联激光器、发光设备、制作量子级联激光器的方法

权利要求书

1.一种量子级联激光器，包括：

激光器结构，所述激光器结构包括第一区、第二区和第三区，所述第一区具有端面；

高比电阻区，所述高比电阻区被设置在所述第一区和所述第二区上；

金属层，所述金属层被设置在所述第三区上；

介电膜，所述介电膜被设置在所述端面和所述高比电阻区上；以及

反射金属膜，所述反射金属膜被设置在所述介电膜、所述端面和所述高比电阻区上，

所述第一区、所述第二区和所述第三区被依次布置在第一轴的方向上，

所述激光器结构具有被设置在所述第二区与所述第三区之间的边界上的具有水平差的台阶，并且

所述激光器结构包括半导体台面和导电基部，所述半导体台面具有芯层，并且所述导电基部用于安装所述半导体台面，并且所述高比电阻区具有比所述导电基部的比电阻大的比电阻。

2.根据权利要求1所述的量子级联激光器，其中

所述高比电阻区在所述激光器结构的所述第一区上具有无机绝缘膜，

所述高比电阻区在所述第二区与所述第三区之间的边界处具有边缘，并且

所述反射金属膜终止于所述高比电阻区的边缘。

3.根据权利要求2所述的量子级联激光器，其中，所述无机绝缘膜包括硅基无机绝缘体。

4.根据权利要求3所述的量子级联激光器，其中，所述激光器结构包括嵌入所述半导体台面的嵌入区。

5.一种发光设备，包括：

量子级联激光器，所述量子级联激光器包括

激光器结构，所述激光器结构具有第一区、第二区和第三区，所述第一区具有端面；

高比电阻区，所述高比电阻区被设置在所述第一区和所述第二区上；

金属层，所述金属层被设置在所述第三区上；

介电膜，所述介电膜被设置在所述端面和所述高比电阻区上；以及

反射金属膜，所述反射金属膜被设置在所述介电膜、所述端面和所述高比电阻区上；

支撑基部，所述支撑基部用于安装所述量子级联激光器；以及

焊料材料，所述焊料材料与所述量子级联激光器的所述金属层接触以将所述量子级联激光器固定到所述支撑基部，

所述第一区、所述第二区和所述第三区被依次布置在第一轴的方向上，

所述激光器结构具有被设置在所述第二区与所述第三区之间的边界上的具有水平差的台阶，并且

所述激光器结构包括半导体台面和导电基部，所述半导体台面具有芯层，并且所述导电基部用于安装所述半导体台面，并且所述高比电阻区具有比所述导电基部的比电阻大的比电阻。

6.一种用于制作量子级联激光器的方法，包括：

制备具有器件部分的排列的激光条；

向所述激光条的第一端面供应用于介电绝缘体的原材料的焊剂以在所述第一端面上沉积所述介电绝缘体；以及

在供应所述介电绝缘体的焊剂之后，向所述激光条的所述第一端面供应用于金属反射膜的原材料焊剂以在所述第一端面上沉积所述金属反射膜，

所述激光条包括激光器结构和高比电阻区，所述激光器结构具有第一区、第二区、第三区和台阶，所述第一区具有所述第一端面，并且所述高比电阻区被设置在所述第一区上，

所述第一区、所述第二区和所述第三区被依次布置在第一轴的方向上并且在与所述第一轴的方向交叉的第二轴的方向上延伸，并且

所述高比电阻区在所述第二轴的方向上延伸，以及

具有水平差的所述台阶在所述第二轴的方向上在所述第二区与所述第三区之间的边界上延伸。