[发明专利]近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料及制备与应用有效

专利信息
申请号: 201810622237.1 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN108659827B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 唐江;胡青松;牛广达;罗家俊;李顺然;刘婧;张成 申请(专利权)人: 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
主分类号: C09K11/62 分类号: C09K11/62;C09K11/85;H01L33/50;H01L33/56
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 许恒恒;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 紫外 激发 双钙钛矿单 基质 白光 荧光 材料 制备 应用
【权利要求书】:

1.一种双钙钛矿材料作为白光荧光材料的应用,其特征在于,该双钙钛矿材料的化学式满足:A2B1-xCxB′1-yLnyX6,其中,A为Cs,B为Ag,C为Na,B′为In,X为Cl;Ln为正三价的Eu、Ho中的一种;并且,0x1;0.01≤y≤0.6;所述双钙钛矿材料为单基质白光荧光材料,激发光波长满足200nm~400nm。

2.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述x、y分别满足:0x≤0.6,0.01≤y≤0.5。

3.如权利要求2所述的应用,其特征在于,所述x、y分别满足:0.23≤x≤0.5,0.01≤y≤0.40。

4.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述双钙钛矿材料具体是应用在白光LED中,具体是将所述双钙钛矿材料与紫外光LED二极管芯片封装,共同用于制备白光LED。

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