[发明专利]光学层叠体的制造方法

权利要求书

1.一种光学层叠体的制造方法，是制造具备光学膜(1)、和由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、且所述聚合物层(2)夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)与所述光学膜(1)层叠而成的光学层叠体(4)的方法，

该方法包括：

带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)，将具备长尺寸的基材膜(5)和层叠于所述基材膜(5)上的所述聚合物层(2)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的聚合物层(6)一边除静电一边沿长度方向运送；

贴合工序(B)，对利用所述带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)运送的所述带有基材膜的聚合物层(6)，在所述聚合物层(2)侧夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)贴合长尺寸的光学膜(1)，得到具备长尺寸的基材膜(5)、所述聚合物层(2)、和夹隔着所述粘合剂或粘接剂层(3)贴合于该聚合物层(2)上的长尺寸的光学膜(1)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)；以及

剥离工序(C)，从所述贴合工序(B)中得到的带有基材膜的光学层叠体(7)剥离所述基材膜(5)而得到所述光学层叠体(4)，

并且该方法包括基材膜除静电运送工序(D)，将所述剥离工序(C)中被剥离后的所述基材膜(5)一边除静电一边沿长度方向运送，

所述带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)中的除静电后的所述带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下，或者所述基材膜除静电运送工序(D)中的除静电后的所述基材膜(5)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

在所述带有基材膜的聚合物层(6)中，所述聚合物层(2)遍及该聚合物层(2)的宽度方向的整体地设于所述基材膜(5)上，所述基材膜(5)的宽度大于所述聚合物层(2)的宽度。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，

在所述带有基材膜的聚合物层(6)中，在所述基材膜(5)上夹隔着取向层(8)层叠所述聚合物层(2)，所述取向层(8)遍及宽度方向的整体地层叠于所述基材膜(5)上，所述基材膜(5)的宽度大于所述取向层(8)的宽度。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，

在所述带有基材膜的光学层叠体(7)中，所述聚合物层(2)的宽度大于所述粘合剂或粘接剂层(3)的宽度。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，

在所述带有基材膜的光学层叠体(7)中，在所述基材膜(5)上夹隔着取向层(8)层叠所述聚合物层(2)，所述取向层(8)的宽度大于所述粘合剂或粘接剂层(3)的宽度。

6.一种带有基材膜的聚合物层的运送方法，是将具备长尺寸的基材膜(5)和层叠于所述基材膜(5)上的由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的聚合物层(6)一边除静电一边沿长度方向运送的方法，

除静电后的所述带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。