[发明专利]一种阴极铝箔基材

说明书

本申请涉及铝箔材料，具体公开了阴极铝箔基材，其包括以下重量百分比的化学元素组分：Si:0.06‑0.12％、Fe:0.25‑0.45％、Cu:0.10‑0.18％、Mn:0.90‑1.20％、Mg≤0.05％、Cr≤0.05％、Ti：0.01‑0.02％、余量Al。其通过控制Fe、Si含量及Fe/Si的比值，并控制杂质相，适当降低Mn含量，可以减少快速冷却结晶过程中的晶内偏析，避免在后续退火中粗大晶粒的形成。

技术领域

本发明涉及铝箔材料，具体涉及一种阴极铝箔基材。

背景技术

随着电子行业的高速发展，铝电解电容器发展势头迅猛，其特性也向高比容、高表面、长寿命和小型化发展，而铝阴极箔是构成电容器的重要原材料。目前阴极箔制备厂家主要从铝加工企业购买铝箔作为基材，再通过腐蚀、化成等化学工艺生产出合适比电容的阴极箔，其基材的性能很大程度上决定了阴极箔的性能。基材的位错密度是一个重要控制指标，恰当的位错密度在腐蚀过程中，会有效增大铝箔表面积，进而扩大比电容。但单纯追求位错密度，又会带来铝箔轧制困难、表面均匀性不好等问题，所以如何通过成分配比、第二相控制、加工工艺来达到各项指标的合理调控，是铝箔基材制备的核心技术。

3×××系铝锰合金是广泛使用的一种铝箔基材，加工方式分为铸轧和热轧两种方式，铸轧方式生产的基材极易因为铸轧时Mn元素偏析严重，产生粗大相、耐腐蚀性不够，存在表面条纹严重、发黑掉粉等弊端；常规热轧方式生产的基材，成分配比、均匀化和中间退火工艺匹配不好，带来晶粒粗大、位错密度不足或过高等问题，会导致铝箔轧制困难，阴极箔制备过程中比容量不稳定、腐蚀后表面条纹严重的致命缺陷。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有铸轧工艺和热轧工艺技术的不足，通过精确控制各合金元素的组成及配比，以生产出适用于阴极箔所需的铝箔基材。

为达到上述目的，本发明的基础方案如下：

阴极铝箔基材包括以下重量百分比的化学元素组分：Si:0.06-0.12％、Fe:0.25-0.45％、Cu:0.10-0.18％、Mn:0.90-1.20％、Mg≤0.05％、Cr≤0.05％、Ti：0.01-0.02％、余量Al。

本方案阴极铝箔基材的原理在于：

通过控制Fe、Si含量及Fe/Si的比值，并控制杂质相，适当降低Mn含量，可以减少快速冷却结晶过程中的晶内偏析，避免在后续退火中粗大晶粒的形成。

本方案产生的有益效果是：

通过对各金属元素的含量进行控制，在结合目前的热轧工艺技术，可以使铝箔基材获得较高的抗拉强度及位错密度，从而满足阴极箔腐蚀需要，有效增大铝箔表面积，扩大比电容。

优选方案一：作为对基础方案的进一步优化，除以上元素组分外的杂质元素的总含量的重量百分比<0.15％。通过对杂质含量进行控制，有利于对铝箔的晶粒的生长进行控制抗拉强度和位错密度，以满足耐腐蚀条件。

优选方案二：作为对优选方案一的进一步优化，所述杂质元素单个含量的重量百分比小于<0.05％。通过对杂质元素单个的含量进行控制，从而有利于控制杂质元素的总含量。

优选方案三：作为对优选方案二的进一步优化，包括以下重量百分比的化学元素组分：Si:0.12％、Fe:0.35％、Cu:0.14％、Mn:1.0％、Mg：0.03％、Cr：0.03％、Ti：0.02％，除以上元素组分外的杂质元素的总含量的重量百分比<0.15％，所述杂质元素单个含量的重量百分比小于<0.05％，余量Al。采用以上配比可在获得足够抗拉强度和位错密度同时，可使铝箔轧制更容易、表面均匀性更好。