[发明专利]检测对准偏移的方法

说明书

本发明提供了一种检测对准偏移的方法，包括在所述晶圆测试区的衬底中的隔离结构上形成控制栅多晶硅层，再在控制栅多晶硅层上形成介质层，在介质层上形成两个截面宽度不同的开口，其中，两个开口覆盖所述控制栅多晶硅层的宽度均为较小的开口的截面宽度，最后去除所述介质层下方的控制栅多晶硅层，形成第一控制栅条和第二控制栅条，所述第一控制栅条和所述第二控制栅条的截面宽度不相等，所述第一控制栅条和所述第二控制栅条的长度和材料均相同，其电阻的比值为截面宽度的反比，通过检测所述第一控制栅条和所述第二控制栅条的电阻大小，可以有效的反映出所述闪存单元的浮栅和所述控制栅是否产生了移位，提高了产品的在线监测能力。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测对准偏移的方法。

背景技术

随着便携式电子设备的高速发展，对数据存储的要求越来越高。用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。在非易失性存储器中，闪存(flashmemory)由于其很高的芯片存储密度，以及较佳的工艺适应性，已经成为一种极为重要的器件。

采用自对准技术形成闪存单元时，经常会使用到曝光工艺，由于在曝光工艺中会存在不同晶圆间或单一晶圆不同位置两层曝光的对准偏移问题，浮栅曝光相对于控制栅曝光会不可避免的产生对准偏移，而普通曝光工艺由于受到监测晶圆数量和测试点的限制，成本和生产效率低下，在线监测不能很好反映浮栅和控制栅之间是否有偏移。

发明内容

本发明的目的在于提供一种检测对准偏移的方法，以解决现有技术无法有效的检测闪存单元的浮栅和控制栅之间是否有偏移等问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种检测对准偏移的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括闪存区及测试区，所述闪存区用于形成闪存单元，所述测试区对应的衬底中形成有隔离结构，在所述隔离结构上形成控制栅多晶硅层；

刻蚀部分所述控制栅多晶硅层，以在所述控制栅多晶硅层相对的第一端和第二端形成具有预设长度的隔离沟槽，使剩余的所述控制栅多晶硅层呈“H”字型；

形成介质层，所述介质层覆盖所述控制栅多晶硅层及所述衬底；

刻蚀所述介质层，形成具有第一截面宽度L1的第一开口和第二截面宽度L2的第二开口，所述第一截面宽度L1较所述第二截面宽度L2小，并且，所述第一开口和所述第二开口均暴露出宽度为第一截面宽度L1的控制栅多晶硅层，所述第二开口的剩余部分暴露出所述隔离结构；

在所述第一开口和所述第二开口中填充绝缘材料，并去除所述介质层，形成第三开口；

保留所述控制栅多晶硅层的第一端和第二端的具有所述预设长度的部分，去除所述第三开口下方的控制栅多晶硅层直至暴露出所述隔离结构，形成第一控制栅条和第二控制栅条；

检测所述第一控制栅条的电阻R1和所述第二控制栅条的电阻R2并进行比较，判断所述闪存单元中的浮栅与控制栅之间的移位是否满足控制要求。

可选的，若所述第一控制栅条的宽度与所述第二控制栅条的宽度之差小于或者等于第一阈值，所述闪存单元中的浮栅与控制栅之间没有移位；若所述第一控制栅条的宽度与所述第二控制栅条的宽度之差大于所述第一阈值，所述闪存单元中的浮栅与控制栅之间产生了移位。

可选的，若所述第一控制栅条的电阻R1与所述第二控制栅条的电阻R2之差小于或者等于第二阈值，所述闪存单元中的浮栅与控制栅之间没有移位；若所述第一控制栅条的电阻R1与所述第二控制栅条的电阻R2之差大于所述第二阈值，所述闪存单元中的浮栅与控制栅之间产生了移位。

可选的，所述闪存单元中的浮栅与控制栅之间移位的距离等于((R2-R1)/R1)*L1。