[发明专利]超高温HfC-SiC复相陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201810617832.6 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108689714A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨泰生;胡利明;刘海林;陈玉峰;唐婕 | 申请（专利权）人： | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复相陶瓷 含硅原料 混合料浆 超高温 炭黑粉 制备 碳化铪 坯体 烧结致密化 重量百分比 冷压成型 力学性能 热压烧结 湿法球磨 总摩尔数 抗氧化 摩尔数 碳元素 烘干 过筛 混料 | ||
1.一种超高温HfC-SiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，其包括：
将碳化铪、含硅原料和炭黑粉湿法球磨混料，得到混合料浆；
将所述的混合料浆过筛，烘干，冷压成型，得到坯体；
将所述的坯体热压烧结，得到超高温HfC-SiC复相陶瓷；
其中所述的混合料浆，以重量百分比计，其包括：
碳化铪：73.5-95.7％；
含硅原料：3.0-19.5％；
炭黑粉：1.3-3.5％；
其中含硅原料中的各元素的总摩尔数与炭黑粉中的碳元素的摩尔数的比例为1:1.01。
2.根据权利要求1所述的超高温HfC-SiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的碳化铪的粒径D50为0.5-2.0μm。
3.根据权利要求1所述的超高温HfC-SiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的含硅原料为硅或硅化铪，其中所述的含硅原料的粒径D50为0.8-2.0μm。
4.根据权利要求1所述的超高温HfC-SiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的炭黑粉的粒径D50为30-100nm。
5.根据权利要求1所述的超高温HfC-SiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的球磨为惰性气体保护，所述的球磨的介质为乙醇，转速为500-800r/min，球磨时间为24-48h。
6.根据权利要求1所述的超高温HfC-SiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的烘干为惰性气体保护烘干；所述的冷压成型的压力为10-20MPa，时间为10-20min。
7.根据权利要求1所述的超高温HfC-SiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的热压烧结为惰性气体或真空保护。
8.根据权利要求1所述的超高温HfC-SiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的热压烧结的升温速率为5-10℃/min，烧结温度为1700-2000℃，烧结压力为30-40MPa，烧结时间为20-40min。
9.一种超高温HfC-SiC复相陶瓷，其特征在于，由权利要求1-8任一项所述的方法制备而得。
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